Вышедшие номера
Выращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения
Тарала В.А. 1, Алтахов А.С. 1, Амбарцумов М.Г. 1, Мартенс В.Я. 1
1Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь
Email: vitaly-tarala@yandex.ru, altakhov@gmail.com, culvico@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Исследована возможность использования метода плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения для выращивания ориентированных пленок AlN на подложках Al2O3 при температурах менее 300oC. Проведены исследования образцов методами рентгенофазового анализа и эллипсометрии. Показано, что при длительностях плазменной экспозиции боле 20 s осаждаются пленки, обладающие показателем преломления, равным 2.03± 0.03. На рентгенограммах этих образцов присутствуют рефлексы (0002) и (0004) при углах 2Theta, равных 35.7o и 75.9o, характерные для гексагонального политипа AlN. У наилучшего образца для рефлекса (0002) ширина кривой качания на полувысоте интенсивности (FWHM) составила порядка 162± 11 arcsec.