Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 1 » Статья стр. 67
<<<>>>
Выращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения
DOI: 10.21883/PJTF.2017.01.44091.16401
Тарала В.А. 1, Алтахов А.С. 1, Амбарцумов М.Г. 1, Мартенс В.Я. 1
1Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь
Email: vitaly-tarala@yandex.ru, altakhov@gmail.com, culvico@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.
PDF версия
Исследована возможность использования метода плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения для выращивания ориентированных пленок AlN на подложках Al2O3 при температурах менее 300oC. Проведены исследования образцов методами рентгенофазового анализа и эллипсометрии. Показано, что при длительностях плазменной экспозиции боле 20 s осаждаются пленки, обладающие показателем преломления, равным 2.03± 0.03. На рентгенограммах этих образцов присутствуют рефлексы (0002) и (0004) при углах 2Theta, равных 35.7o и 75.9o, характерные для гексагонального политипа AlN. У наилучшего образца для рефлекса (0002) ширина кривой качания на полувысоте интенсивности (FWHM) составила порядка 162± 11 arcsec.
  1. Sowers A.T. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 16. P. 2289--2291
  2. Sahyoun W. et al. // IEEE TUFFC. 2011. V. 58. N 10. P. 2162--2170
  3. Ivaldi P. et al. // Frequency Control Symposium (FCS). 2010. P. 81--84
  4. Tsai D.-S. et al. // Sci. Rep. 2013. N 4. P. 2628
  5. Clement M. et al. // Ultrasonics. 2004. N 42. P. 403--407
  6. Ратников В.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2016. T. 42. В. 8. С. 61--69
  7. Blasing J. et al. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. P. 033 504 (1--9)
  8. Kakanakova-Georgieva A. et al. // J. Crystal Growth. 2012. V. 338. N 1. P. 52-56
  9. Xi Y.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V 89. P. 103 106
  10. Matsunami N. et al. // Adv. Mater. Phys. Chem. 2013. N 3. P. 101--107
  11. Lee Y.J. et al. // Thin Solid Films. 2004. V. 446. N 2. P. 227--231
  12. Bosund M. et al. // Appl. Surf. Sci. 2011. N 257. P. 7827--7830
  13. Alevli M. et al. // Phys. Status Solidi A. 2012. V. 209. N 2. P. 266--271
  14. Motamedi P. et al. // J. Crystal Growth. 2015. N 421. P. 45--52
  15. Alevli M. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2012. V. 30. N 2. P. 021 506 (1--6)
  16. Nepal N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. P. 082 110
  17. Boulle A. et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. N 7. P. 073 503

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme