Вышедшие номера
Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации
Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание, 16.2737.2017/ПЧ
Королев Д.С.1, Никольская А.А.1, Кривулин Н.О.1, Белов А.И.1, Михайлов А.Н.1, Павлов Д.А.1, Тетельбаум Д.И.1, Соболев Н.А.2, Kumar M.3
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India
Email: tetelbaum@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

С помощью метода просвечивающей электронной микроскопии в приграничном слое кремния структуры SiO2/Si, подвергнутой ионной имплантации и термической обработке, обнаружено образование включений гексагонального кремния (политип 9R). Образование гексагональной фазы обусловлено механическими напряжениями, возникающими в гетерофазной системе в процессе ионной имплантации. DOI: 10.21883/PJTF.2017.16.44937.16852