Письма в журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом a-Si : H/c-Si

DOI: 10.21883/PJTF.2017.10.44626.16626

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-32-60060 мол_а_дк

Жигунов Д.М.

¹, Ильин А.С.

^1,2, Форш П.А.

^1,2, Бобыль А.В.

³, Вербицкий В.Н.

³, Теруков Е.И.

³, Кашкаров П.К.

^1,2

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: phorsh@mail.ru

Поступила в редакцию: 30 декабря 2016 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

PDF версия

Исследованы электролюминесценция и фотолюминесценция солнечных элементов, содержащих гетеропереходы a-Si : H/c-Si. Установлено, что как электролюминесценция, так и фотолюминесценция исследованных элементов определяются излучательной рекомбинацией неравновесных носителей заряда в кристаллическом кремнии. Продемонстрировано, что внешний энергетический выход (КПД) электролюминесценции солнечных элементов с гетеропереходом a-Si : H/c-Si составляет при комнатной температуре значение 2.1%, что превосходит имеющиеся на данный момент значения для кремниевых диодных структур. Столь значительные величины КПД электролюминесценции могут объясняться хорошей пассивацией поверхности кристаллического кремния и соответственно увеличением времени жизни неосновных носителей заряда в исследованных элементах. DOI: 10.21883/PJTF.2017.10.44626.16626

de Boer W.D.A.M., Timmerman D., Dohnalova K. et al. // Nat. Nanotechnol. 2010. V. 5. P. 878
Cho K.S., Park N.M., Kim T.Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 071909
Takeoka S., Fujii M., Hayashi S. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 16820
Huh Ch., Kim T.-Y., Ahn Ch.-G., Kim B.K. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. P. 211103
Emelyanov A.V., Kazanskii A.G., Khenkin M.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. P. 081902
Emelyanov A.V., Kazanskii A.G., Forsh P.A. et al. // J. Nanoelectron. Optoelectron. 2015. V. 10. P. 649
Kveder V.V., Steinman E.A., Shevchenko S.A., Grimmeiss H.G. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 10520
Шевченко C.А., Изотов Н.А. // ФТТ. 2003. Т. 45. С. 248
Ng W.L., Lourenco M.A., Gwilliam R.M. et al. // Nature. 2001. V. 410. P. 192
Green M.A., Zhao J., Wang A. et al. // Nature. 2001. V. 412. P. 805
Емельянов А.М. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. С. 75
Емельянов А.М. // ФТП. 2011. Т. 45. С. 823
Trupke T., Zhao J., Wang A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 2996
Masuko K., Shigematsu M., Hashiguchi T. et al. // IEEE J. Photovolt. 2014. V. 4. P. 1433
Bresler M.S., Gusev O.B., Terukov E.I. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 2004. V. 338--340. P. 440
Бреслер М.С., Гусев О.Б., Теруков Е.И. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. С. 18
Davies G. // Phys. Reports. 1989. V. 176. P. 83

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель