О подавлении эффекта насыщения усиления в пороговых собственных фоторезисторах с вытягивающими контактами при примесной рекомбинации фотоносителей за счет увеличения концентрации рекомбинационной примеси
Холоднов В.А.1, Другова А.А.1
1Теоретический отдел Государственного научного центра Российской Федерации государственного предприятия НПО "Орион", Москва
Поступила в редакцию: 5 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
В работе показано, что можно избежать известного отрицательного свойства собственных фоторезисторов с вытягивающими контактами - насыщения усиления с ростом электрического поля. Насыщение усиления очень сильно ограничивает фоточувствительность прибора. Это ограничение снимается при замене вытягивающих контактов блокирующими, но технологически это очень сложно сделать и практически не поддается надежному контролю. Возможность избежать насыщения, причем в условиях одновременного сильного возрастания времен жизни фотоносителей, представляет значительный интерес для экспериментаторов и разработчиков фотоприемников.
- Downey P.M., Martin R.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. N 4. P. 396--398
- Loepfe R., Schaelin A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 25. P. 2130--2132
- Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Под ред. Р.Дж. Киеса. М.: Радио и связь, 1985. 326 с
- Rogalski A. et al. Infrared photon detectors. Bellingham, Washington USA: SPIE Optical Engineering Press, 1995. 644 p
- Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966. 192 с
- Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: Иностр. лит. 1962. 558 с
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 496 с
- Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 562 с
- Smith D.L. // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. N 6. P. 1663--1669
- Shacham-Diamand Y.J., Kidron I. // Infr. Phys. 1981. V. 21. P. 105--115
- Smith D.L., Lo F.K., Genova J.D. // J. Vac. Sci. Technol. 1982. V. 21. N 1. P. 259--262
- Elliott C.T. // In: Handbook on Semiconductors / Ed. by C. Hilsum. Amsterdam: North---Holland, 1982. V. 4. P. 727--798
- Drugova A.A., Kholodnov V.A. // Proceed. of International Semicond. Device Research Symp. Charlottesville. USA. 1995. V. 1. P. 197--200
- Hall R.N. // Phys. Rev. 1952. V. 87. N 2. P. 387
- Shockley W., Read W.T. // Phys. Rev. 1952. V. 87. N 5. P. 835--842
- Осипов В.В., Холоднов В.А. // ФТП. 1970. Т. 4. N 12. С. 2241--2252
- Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 600 с
- Блекмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988. 608 с
- Холоднов В.А. К теории инжекционных явлений в компенсированных полупроводниках. Дис. на соиск. канд. физ.-мат. наук. М.: МФТИ, 1973. 158 с
- Drugova A.A., Kholodnov V.A. // Solid-St. Electron. 1995. V. 38. N 6. P. 1247--1252
- Холоднов В.А. // ФТП. 1996. Т. 30. N 6. С. 1011--1025
- Техника оптической связи. Фотоприемники / Под ред. У. Тсанга. М.: Мир, 1988. 528 с
- Холоднов В.А. Теория пороговых полупроводниковых фотоприемников с внутренним усилением. Дис. на соиск. докт. физ.-мат. наук. М.: НИИ прикладной физики НПО "Орион", 1990. 362 c
- Другова А.А., Холоднов В.А. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 1. С. 23--27
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук