"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Получение режима модуляции добротности в лазерах на основе одинарной гетероструктуры и генерация сверхмощных пикосекундных оптических импульсов
Венус Г.Б.1, Гаджиев И.М.1, Губенко А.М.1, Портной Е.Л.1, Хазан А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Режим модуляции добротности был получен для лазеров на основе одинарной гетероструктуры. Сверхбыстродействующий насыщающийся поглотитель в резонаторе лазера создавался методом имплантации тяжелых, высокоэнергетичных ионов. Пиковая мощность, полученная на лазерах с шириной полоска 150 мкм, составляет 380 Вт при длительности импульса генерации 40 пс.
  1. Zhu B., White I.H., Williams K.A., Laughton F.R. // IEEE Photonics Technology letters. 1996. V. 8. P. 503--505
  2. Jiang Z., Tsang H.K., Wang W., Wang Z., Wang X., Wang Q. // 15 th International Semiconductor laser Conference. 1996.Haifa, Israel, Th. 1.3. P. 159--160
  3. Volpe F., Gorfinkel V., Sola J., Kompa G. // Conference on Laser \& Electro-Optics (CLEO-9). Anaheim, California USA, May 1994
  4. Vainshtein S., Rossin V., Kilpela A., Kostamovaara J., Myllyla R., Maatta K. // IEEE J. of Quantum Electron. 1995. V. 31. P. 1015--1021
  5. Портной Е.Л., Стельмах Н.М., Челноков А.В. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 11. С. 44--48
  6. Portnoi E., Avrutin E., Chelnokov A.V. // Proceedings of the Joint Soviet-American Workshop on the Physics of Semiconductor Lasers. Leningrad, May 20--June 3, 1991. AIP Conference Proceedings no. 240. P. 58--66 (N.Y. 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.