Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2000, выпуск 12 » Статья стр. 31
<<<>>>
Образование и свойства поверхностного фосфида на (100)W
Галль Н.Р.1, Рутьков Е.В.1, Тонтегоде А.Я.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: gall@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 28 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
PDF версия
Изучена адсорбция молекул PCl3 на (100)W в широкой области температур 300-2000 K. Показано, что при T>1100 K такая адсорбция приводит к образованию поверхностного фосфида вольфрама, и определен его состав - это WP с поверхностной концентрацией атомов фосфора (1± 0.15)· 1015 cm-2. Адсорбция атомов Si при 1300 K на поверхностный фосфид приводит к вытеснению атомов P с поверхности и замещению их атомами кремния.
  1. Фромм Е., Гебхард Е. Газы и углерод в металлах. М.: Металлургия, 1980. 706 c
  2. Guttmann M., McLean D. Interfacial Segregation / Ed. W.C. Johnson, J.M.Blakely. American Society for Metals, Metal Park, Ohio, 1979. P. 261--347
  3. Физическое материаловедение / Под ред. Р. Кана. Т. 2. M.: Мир, 1968. 484 с
  4. Коттон Ф., Уилкинсон Дж. Современная неорганическая химия. Т. 2. М.: Мир, 1969. С. 339--374
  5. Rao C.N.R., Ranga Rao G. // Surf. Sci. Reports. 1991. V. 13. N 7. P. 221--264
  6. Roberts M.W., McKee C.S. Chemistry of the metal-gas interface. Clarendon Press, Oxford, 1978. P. 300--331
  7. Clavenna L.R., Schmidt L.D. // Surf. Sci. 1970. V. 22. P. 365
  8. Gall N.R., Rut'kov E.V., Tontegode A.Ya. // Thin Solid Films. 1995. V. 266. P. 229--233
  9. Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов: Справочник. Киев: Наук. думка, 1981. 360 с
  10. Davice L.E., McDonald N.C. Palmberg P.W., Rich G.E., Weber R.E. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. Physical Electronics Ind., Eden Prerie, 1976
  11. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990. 484 с
  12. Gall N.R., Rut'kov E.V., Tontegode A.Ya., Usufov M.M. // Phys. Low Dim. Struct. 1999. V. 3/4. P. 27--42
  13. Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Усуфов М.М. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 18. С. 65--69.
  14. Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 2. С. 186--189
  15. Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Усуфов М.М. // ФТТ. 1996. Т. 38. В. 8. С. 2541--2548
  16. Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю., Галль Н.Р., Михайлов С.Н., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 9. С. 565--570.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme