Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Образование и свойства поверхностного фосфида на (100)W
Галль Н.Р.1, Рутьков Е.В.1, Тонтегоде А.Я.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: gall@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 28 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
Изучена адсорбция молекул PCl3 на (100)W в широкой области температур 300-2000 K. Показано, что при T>1100 K такая адсорбция приводит к образованию поверхностного фосфида вольфрама, и определен его состав - это WP с поверхностной концентрацией атомов фосфора (1± 0.15)· 1015 cm-2. Адсорбция атомов Si при 1300 K на поверхностный фосфид приводит к вытеснению атомов P с поверхности и замещению их атомами кремния.
- Фромм Е., Гебхард Е. Газы и углерод в металлах. М.: Металлургия, 1980. 706 c
- Guttmann M., McLean D. Interfacial Segregation / Ed. W.C. Johnson, J.M.Blakely. American Society for Metals, Metal Park, Ohio, 1979. P. 261--347
- Физическое материаловедение / Под ред. Р. Кана. Т. 2. M.: Мир, 1968. 484 с
- Коттон Ф., Уилкинсон Дж. Современная неорганическая химия. Т. 2. М.: Мир, 1969. С. 339--374
- Rao C.N.R., Ranga Rao G. // Surf. Sci. Reports. 1991. V. 13. N 7. P. 221--264
- Roberts M.W., McKee C.S. Chemistry of the metal-gas interface. Clarendon Press, Oxford, 1978. P. 300--331
- Clavenna L.R., Schmidt L.D. // Surf. Sci. 1970. V. 22. P. 365
- Gall N.R., Rut'kov E.V., Tontegode A.Ya. // Thin Solid Films. 1995. V. 266. P. 229--233
- Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов: Справочник. Киев: Наук. думка, 1981. 360 с
- Davice L.E., McDonald N.C. Palmberg P.W., Rich G.E., Weber R.E. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. Physical Electronics Ind., Eden Prerie, 1976
- Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990. 484 с
- Gall N.R., Rut'kov E.V., Tontegode A.Ya., Usufov M.M. // Phys. Low Dim. Struct. 1999. V. 3/4. P. 27--42
- Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Усуфов М.М. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 18. С. 65--69.
- Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 2. С. 186--189
- Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Усуфов М.М. // ФТТ. 1996. Т. 38. В. 8. С. 2541--2548
- Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю., Галль Н.Р., Михайлов С.Н., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 9. С. 565--570.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
