"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Обратный ток в полупроводниковых диодах с неоднородной базовой областью
Соколовский Б.С.1
1Львовский государственный университет им. Ив. Франко
Поступила в редакцию: 13 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Произведен расчет обратного тока полупроводникового диода с неоднородной базовой областью, в которой создан примыкающий к омическому контакту слой с большей шириной запрещенной зоны. Показано, что в таком диоде можно значительно уменьшить обратный ток, связанный с термической генерацией носителей как в базовой области, так и на контакте.
  • Зu С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Кн. 1. 456 с.; Кн. 2. 456 с
  • Константинов О.В., Царенков Г.В. // ФТП. 1976. Т. 10. В. 4. С. 720--728
  • Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. М.: Изд-во МО СССР, 1982. 208 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.