"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Рекомбинация через изоэлектронные ловушки с участием экситонов в точно компенсированных полупроводниках
Каражанов С.Ж.1
1Физико-технический институт, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 11 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

Исследованы времена жизни электронов и дырок в условиях их рекомбинации через экситоны, формирующиеся на изоэлектронных ловушках. Показано, что зависимость времен жизни от концентрации ловушек является немонотонной и проходит через максимум. Причина этого эффекта связана с резким убыванием концентрации равновесных основных носителей заряда при полной компенсации. Показано, что при этом удельное сопротивление резко возрастает.
  1. Shockley W., Read W. // Phys. Rev. 1952. V. 87. N 5. P. 835--842
  2. Евстропов В.В., Б.В. Царенков // ФТП. 1970. Т. 4. В. 5. С. 923--932
  3. Landsberg P.T. Recombination in semiconductors. Cambridge University Press. 1992. P. 595
  4. Landsberg P.T., Kanaki E.V., Karazhanov S. Zn. // Узбекский физический журнал. 1997. N 6. С. 52--56
  5. Холоднов В.А. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 6. С. 1011--1025
  6. Drugova A.A., Kholodnov V.A. // Solid State Electronics. 1995. V. 38. N 6. 1247--1252
  7. Холоднов В.А. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 67. В. 9. С. 655--660
  8. Холоднов В.А., Серебренников П.С. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 7. С. 39--45
  9. Dishman J.M., DiDomeniko M. // Phys. Rev. B. 1970. V. 1. N 8. P. 3381--3391
  10. Seto J.Y.W. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. N 12. P. 5247--5254

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.