Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рекомбинация через изоэлектронные ловушки с участием экситонов в точно компенсированных полупроводниках
1Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 11 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
Исследованы времена жизни электронов и дырок в условиях их рекомбинации через экситоны, формирующиеся на изоэлектронных ловушках. Показано, что зависимость времен жизни от концентрации ловушек является немонотонной и проходит через максимум. Причина этого эффекта связана с резким убыванием концентрации равновесных основных носителей заряда при полной компенсации. Показано, что при этом удельное сопротивление резко возрастает.
- Shockley W., Read W. // Phys. Rev. 1952. V. 87. N 5. P. 835--842
- Евстропов В.В., Б.В. Царенков // ФТП. 1970. Т. 4. В. 5. С. 923--932
- Landsberg P.T. Recombination in semiconductors. Cambridge University Press. 1992. P. 595
- Landsberg P.T., Kanaki E.V., Karazhanov S. Zn. // Узбекский физический журнал. 1997. N 6. С. 52--56
- Холоднов В.А. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 6. С. 1011--1025
- Drugova A.A., Kholodnov V.A. // Solid State Electronics. 1995. V. 38. N 6. 1247--1252
- Холоднов В.А. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 67. В. 9. С. 655--660
- Холоднов В.А., Серебренников П.С. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 7. С. 39--45
- Dishman J.M., DiDomeniko M. // Phys. Rev. B. 1970. V. 1. N 8. P. 3381--3391
- Seto J.Y.W. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. N 12. P. 5247--5254
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
