Особенности долговременной релаксации фотоэдс в гетероэпитаксиальной структуре ZnSe--GaAs
Шеховцов Л.В.1,2, Венгер Е.Ф.1,2, Семенова Г.Н.1,2, Садофьев Ю.Г.1,2, Корсунская Н.Е.1,2, Семцив М.П.1,2, Сапко С.Ю.1,2
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
2Физический институт РАН, Москва
Поступила в редакцию: 6 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
Исследованы спектральные характеристики и распределение поперечной фотоэдс в образцах гетероэпитаксиальной структуры ZnSe-GaAs, полученной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности (100) подложки GaAs, стабилизированной цинком. При измерениях спектральных характеристик обнаружено нетрадиционное проявление эффекта долговременной релаксации фотоэдс: амплитуда ее спектральной характеристики зависит от направления изменения длины волны возбуждающего монохроматического света. Обнаруженную зависимость амплитуды и знака (фазы) фотоэдс от интенсивности поглощаемого в образце света можно объяснить изменением эффективного времени жизни электронно-дырочных пар, а также его разной величиной в различных слоях гетероструктуры. Показано, что градиенты удельного сопротивления в гетероструктуре вблизи границы раздела имеют слоистый характер.
- Иванов С.В., Торопов А.А., Сорокин С.В. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 10. С. 1272--1276
- Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Иностр. лит., 1962. 265 с
- Баев И.В., Валяшко Е.Г. // ФТТ. 1965. Т. 7. В. 9. С. 2585--2593
- Шеховцов Л.В., Саченко А.В., Шварц Ю.М. // ФТП. 1995. Т. 29. С. 566--574
- Коваленко А.В., Мекекечко А.Ю. // ФТТ. 1993. Т. 35. В. 10. С. 2852--2853
- Шейнкман М.К., Шик А.Я. // ФТП. 1976. Т. 10. В. 2. С. 209--233
- Вавилов В.С., Эфимиу П.К., Зардас Дж. Е. // УФН. 1999. Т. 169. С. 209--212
- Шеховцов Л.В., Семенова Г.Н., Венгер Е.Ф., Саченко А.В., Садофьев Ю.Г. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 11. С. 34--41
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук