Вышедшие номера
Особенности долговременной релаксации фотоэдс в гетероэпитаксиальной структуре ZnSe--GaAs
Шеховцов Л.В.1,2, Венгер Е.Ф.1,2, Семенова Г.Н.1,2, Садофьев Ю.Г.1,2, Корсунская Н.Е.1,2, Семцив М.П.1,2, Сапко С.Ю.1,2
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
2Физический институт РАН, Москва
Поступила в редакцию: 6 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

Исследованы спектральные характеристики и распределение поперечной фотоэдс в образцах гетероэпитаксиальной структуры ZnSe-GaAs, полученной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности (100) подложки GaAs, стабилизированной цинком. При измерениях спектральных характеристик обнаружено нетрадиционное проявление эффекта долговременной релаксации фотоэдс: амплитуда ее спектральной характеристики зависит от направления изменения длины волны возбуждающего монохроматического света. Обнаруженную зависимость амплитуды и знака (фазы) фотоэдс от интенсивности поглощаемого в образце света можно объяснить изменением эффективного времени жизни электронно-дырочных пар, а также его разной величиной в различных слоях гетероструктуры. Показано, что градиенты удельного сопротивления в гетероструктуре вблизи границы раздела имеют слоистый характер.