Вышедшие номера
Исследование зонной структуры полупроводниковых твердых растворов GaPxAs1-x фотоэлектрическим методом
Конников С.Г.1, Мелебаев Д.1, Рудь В.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Физико-технический институт АН Туркменистана Ашгабат
Поступила в редакцию: 31 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

  1. GaAsP Shottky diodes beat Silicon for UV Laser Focur. Electr. Opt. 1985. V.21. N 2. P. 56--58
  2. Берг А., Дин Г. Светодиоды. М: Мир, 1979. 686 с
  3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М: Мир, 1984. Т. 2. 455 с
  4. Вигдорович Е.Н., Гольдберг Ю.А., Дурдымурадова М.Г., Мелебаев Д., Царенков Б.В. ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 8. С. 1419--1422
  5. Конников С.Г., Мелебаев Д., Рудь В.Ю., Беркелиев А., Дурдымурадова М.Г. Корнякова О.В. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 4. С. 57--64
  6. Spitzer W.G., Mead A.C. Phys. Rev. 1964. V. 133. N 3A. P. A872--A875
  7. Алферов Ж.И., Амосов В.И., Гарбузов Д.З., Жиляев Ю.В., Конников С.Г., Копьев П.С., Трофим В.Г. ФТП. 1972. Т. 6. Вып. 10. С. 1879--1887
  8. Rubenstein H. J. Elect. Chem. Soc. 1965. V. 112. N 4. P. 426--429
  9. Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н., Яськов Д.А. ФТП. 1973. Т. 7. Вып. 3. С. 471--479
  10. Иглицын М.И., Юрова Е.С. ФТП. 1968. Т. 2. Вып. 7. С. 951--954
  11. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М: Мир, 1981. Т. 2. 364 с
  12. Onton A., Foster L.M. J. Appl. Phys. 1972. V. 43. N 12. P. 5084--5090
  13. Craford M.G., Shaw R.W., Herrog A.H., Groves W.O. J. Appl. Phys. 1972. V. 43. N 10. P. 4075--4083
  14. Сирота Н.Н., Боднарь И.В., Лукомский А.И., Смирнова Л.Ф., Финкельштейн Л.М. ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 6. С. 1129--1132
  15. Пихтин А.Н. ФТП. 1977. Т. 11. Вып. 3. С. 425--455
  16. Rideout V. Leo Solid. St. Electr. 1974. V. 17. P. 1107--1108
  17. Беркелиев А., Гольдберг Ю.А., Именков А.Н., Мелебаев Д., Розыева М.Х. Изв. АН. ТССР. Сер. ФТХ и ГН. 1986. Вып. 1. С. 8--14
  18. Беркелиев А., Жиляев Ю.В., Федоров Л.М., Мелебаев Д., Тилевов С., Старобинец С.М. Тез. докл. II Всес. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ашхабад, 1991. С. 147--148
  19. Melebaev D., Durdimuradova M.G., Berkeliev A., Cornikova O.V. Crystal Properties and Preparation. Trans. Tech. Publications. Switzerland--Germany--USA. 1991. V.32--34. P. 573--575
  20. Беркелиев А., Гольдберг Ю.А., Мелебаев Д., Царенков Б.В. ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 8. С. 1532--1534
  21. Мелебаев Д., Беркелиев А., Корнякова О.В., Ильясов У.И. Тез. докл. II Всес. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ашхабад, 1991. С. 324
  22. Беркелиев А., Гольдберг Ю.А., Мелебаев Д. Изв. АН. ТССР. Сер. ФТХ и ГН. 1975. N 6. С. 44--49
  23. Brillson L.J., Viturro R.E., Slade M.L. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. N 19. P. 1379--1381
  24. Takashi Sugino, Takashi Yamado, Junjv Shirafji. Jap. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. N 6. P. 864--866
  25. Конников С.Г., Мелебаев Д., Мелебаева Г.Д., Рудь В.Ю., Сергинов М. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 24. С. 32--37
  26. Иглицын М.И., Овсянникова Н.В., Орлов П.Б., Рытова Н.С., Юрова Е.С. ФТП. 1969. Т. 3. Вып. 12. С. 1781--1786
  27. Субашиев В.К., Чаликян Г.А. ФТП. 1969. Т. 3. Вып. 10. С. 1447--1451

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.