Вышедшие номера
Определение изменений ширины запрещенной зоны непрямозонных полупроводников по спектрам краевой люминесценции
Емельянов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Emelyanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

Для определения температурных зависимостей ширины запрещенной зоны (Eg) монокристаллического Si и кубического карбида кремния использован метод, основанный на аппроксимации прямыми линиями роста основного максимума на длинноволновом участке спектра краевой люминесценции и зависимости интенсивности электролюминесценции от энергии квантов, предшествующей появлению этого максимума. Показано хорошее совпадение полученной этим методом зависимости изменения Eg кремния от температуры в области температур 80-300 K с результатами ее определения на основе измерений поглощения света. Найденный по этой методике температурный коэффициент линейного изменения Eg для 3C-SiC в области температур 285-765 K составил -3.5· 10-4 eV/K и находится в хорошем согласии с ранее опубликованными данными W.J. Choyke. PACS: 78.60.Fi, 78.60.-b, 78.55.-m