Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2009, выпуск 12 » Статья стр. 32
<<<>>>
Определение нормальной и латеральной компонент темнового тока n-p-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур p-CdxHg1-xTe с x=0.22
Протасов Д.Ю.1,2, Костюченко В.Я.1,2, Павлов А.В.1,2, Васильев В.В.1,2, Дворецкий С.А.1,2, Варавин В.С.1,2, Михайлов Н.Н.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Сибирская государственная геодезическая академия, Новосибирск
Email: protasov@thermo.isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
PDF версия
Проведено исследование зависимости темнового тока фотодиодов многоэлементных матричных фотоприемников длинноволнового инфракрасного диапазона, изготовленных методом имплантации ионов бора в гетероэпитаксиальные слои кадмий-ртуть-теллура, от индукции магнитного поля. Предложен метод раздельного определения латеральной и нормальной компонент темнового тока в таких фотодиодах. Установлено, что для исследуемых фотодиодов, размеры которых сравнимы с длиной диффузии неосновных носителей заряда, темновой ток при 77 K в основном определяется латеральной компонентой. PACS: 07.57.Кр.
  1. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Новосибирск: Наука, 2003. Ч. III. Гл. 13. С. 416. (Rogalski A. Infrared Detectors. Taylor \& Francis, Inc, 2000)
  2. Dhar V., Gopal V. // Opt. Eng. 2000. V. 39. N 8. P. 2022--2030
  3. Dhar V., Gopal V. // Sem. Sci. Technol. 2001. V. 16. P. 553--561
  4. Frank J., Belas E., Toth A.L. et al. // Sem. Sci. Tech. 1999. V. 13. P. 314--317
  5. Haakenaasen R., Colin T., Stenn H. et al. // J. Electr. Mat. 2000. V. 29. N 6. P. 649--852
  6. Musca C.A., Dell J.M., Faraone L. et al. // J. Electr. Mat. 1999. V. 28. N 6. P. 617--623
  7. Redfern D.A., Musca C.A., Dell J.M. et al. // J. Electr. Mat. 2004. V. 33. N 6. P. 560--570
  8. Schacham S.E., Finkman E. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. V. 7. N 2. P. 387--390
  9. Chen M.C., Turner A. et al. // J. Electron. Mat. 1995. V. 24. N 9. P. 1249--1253
  10. Gordon N.T., Barton S., Capper P. et al. // Sem. Sci. Technol. 1993. V. 8. P. S221--S224
  11. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 9. С. 1092--1101
  12. Varavin V.S., Vasiliev V.V., Dvoretsky S.A. et al. // Opto-electronics review. 2003. V. 11. N 2. P. 99--111
  13. Варавин В.С., Дворецкий С.А., Костюченко В.Я. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 5. C. 532--537

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme