Исследовались смектические жидкие кристаллы типа "C" - 4'-n-гексилоксифенилового эфира 4-n-децилоксибензойной кислоты. Цель работы было изучение волнообразной неустойчивости, индуцированной электрическими полями в окрестности фазового перехода второго рода СЖК "C"->СЖК "A". Использовалась ячейка типа "сэндвич". Смектические слои располагались параллельно поверхностям пластин ячейки. Направление ориентации директора составляло угол theta с нормалью к ячейке. Обнаружено, что фазовый переход второго рода СЖК "C"->СЖК "A" имеет критический характер. Волнообразная неустойчивость в виде полосчатой структуры была обнаружена как в переменных, так и в постоянных электрических полях. Период полос зависит от напряжения приложенного поля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.