Волнообразная неустойчивость смектических жидких кристаллов типа "C" в электрических полях
Чувыров А.Н.1, Денисова О.А.1
1Башкирский государственный университет, Уфа
Email: ChuvyrovAN@bashedu.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
Исследовались смектические жидкие кристаллы типа "C" - 4'-n-гексилоксифенилового эфира 4-n-децилоксибензойной кислоты. Цель работы было изучение волнообразной неустойчивости, индуцированной электрическими полями в окрестности фазового перехода второго рода СЖК "C"->СЖК "A". Использовалась ячейка типа "сэндвич". Смектические слои располагались параллельно поверхностям пластин ячейки. Направление ориентации директора составляло угол theta с нормалью к ячейке. Обнаружено, что фазовый переход второго рода СЖК "C"->СЖК "A" имеет критический характер. Волнообразная неустойчивость в виде полосчатой структуры была обнаружена как в переменных, так и в постоянных электрических полях. Период полос зависит от напряжения приложенного поля.
- Rapini A. // Journ. Phys. (Fr.). 1972. V. 33. P. 237--242
- Barratt P.J., Duffy B.R. // Journ. Phys. A.: Math. Gen. 1997. V. 30. P. 891--901
- Jakli A., Bartolino R., Scaramuzza N. // Journ. Phys. (Fr.). 1989. V. 50 (11). P. 1313--1321
- Де Жен П. Физика жидких кристаллов. М.: Мир, 1977. 377 с
- Pusnih F., Schara M., Sentjure M. // Journ. Phys. (Fr.). 1975. V. 36. P. 665--675
- Пикин С.А. Структурные превращения в жидких кристаллах. М.: Наука, 1981. 336 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук