"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Экзоэлектронная эмиссия и критические явления в кристаллах CuCl
Захаров Н.А.1, Захарова Т.В.1, Клюев В.А.1, Горбачев В.В.1
1Институт общей и неорганической химии РАН, Москва
Поступила в редакцию: 18 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Изучены температурные зависимости термостимулированной экзоэлектронной эмиссии (ТСЭЭ) и удельной теплоемкости cp кристаллов CuCl. Высказывается предположение, что пики ТСЭЭ в области 375 и 420oC обусловлены соответственно образованием политипов и структурными переходами сфалерит-вюрцит, а пик при 170oC связан с наличием в исследованных кристаллах CuCl ионов Cu2+.
  1. Perner M. // J. Cryst. Growth. 1969. V. 6. P. 86--90
  2. Шалимова К.В., Борошнева Т. В., Добржанский Г.Ф. // Тез. докл. 6 Межд. конф. по росту кристаллов. М., 1980. Т. 4. С. 279
  3. Захаров Н.А., Клюев В.А., Топоров Ю.П. и др. // Неорган. материалы. 1995. Т. 31. N 8. С. 1100--1102
  4. Пернер М., Инура И. // Рост кристаллов. М.: Наука, 1967. Т. 7. С. 307--314
  5. Kaambre H. // 4th Symp. Jn Exoelectron Emission and Dosimetri. Liblice, 1973. P. 57--71
  6. Толпыго Е.И., Толпыго К.Б., Шейнкман М.К. // ФТТ. 1965. Т. 7. N 6. С. 1790--1794
  7. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Наука. 1976. 392 с
  8. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства. М.: Наука, 1976. 200 с
  9. Пасонидж Н., Стейвли Л. Беспорядок в кристаллах. М.: Мир, 1982. T. 1. 434 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.