"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Электролюминесценция в диапазоне 1.55--1.6 mum диодных структур с квантовыми точками на GaAs
Жуков А.Е.1, Воловик Б.В.1, Михрин С.С.1, Малеев Н.А.1, Цацульников А.Ф.1, Никитина Е.В.1, Каяндер И.Н.1, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Диодные структуры на подложках GaAs с активной областью на основе латерально-связанных квантовых точек InAs, сформированных методом низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии, демонстрируют электролюминесценцию на длине волны 1.55-1.6 mum при температуре 20-260 K.
  1. Ustinov V.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. R41--R54
  2. Steinle G., Riechert H., Egorov A.Yu. // Electron Lett. 2001. V. 37 (2). P. 93--94
  3. Lott J., Ledentsov N., Ustinov V.M., Maleev N.A., Zhukov A., Kovsh A.R., Maximov M.V., Volovik B.V., Alferov Zh.I., Bimberg D. // IEEE LEOS 13th Annual Meeting. 13--16 November 2000. Rio Grande, Puerto Rico. IEEE catalog number: OOCH37080. 2000. P. 304--305
  4. Jackson A.W., Naone R.L., Dalberth M.J., Smith J.M., Malone K.J., Kisker D.W., Klem J.F., Choquette K.D., Serkland D.K., Geib K.M. // Electron. Lett. 2001. V. 37 (6). P. 355--356
  5. Sopanen M., Xin H.P., Tu C.W. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76 (8). P. 994--996
  6. Ungaro G., Le Roux G., Teissier R., Harmand J.C. // Electron. Lett. 1999. V. 35 (15). P. 1246--1248
  7. Fischer M., Reinhardt M., Forchel A. // Electron. Lett. 2000. V. 36 (14). P. 1208--1209
  8. Maximov M.V., Tsatsul'nikov A.F., Volovik B.V., Bedarev D.A., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Kovsh A.R., Bert N.A., Ustinov V.M., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Bimberg D., Soshnikov I.P., Werner P. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75 (16). P. 2347--2349

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.