Представлены результаты исследования высоковольтных арсенидгаллиевых диодных переключателей с характерными субнаносекундными временами спада обратного тока при переключении их из прямого смещения на обратное. Исследованные структуры имели близкое к диодам с накоплением заряда распределение концентрации примеси в базовых областях и работали в режимах, соответствующих режимам включения кремниевых высоковольтных дрейфовых диодов с резким восстановлением. Показаны перспективы использования представленных арсенидгаллиевых диодов для формирования импульсов с фронтом в несколько сотен пикосекунд на токи в сотни ампер и напряжения в несколько киловольт, с частотами в сотни килогерц.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.