"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Высоковольтные арсенидгаллиевые диоды с субнаносекундными временами восстановления блокирующего напряжения
Корольков В.И.1, Рожков А.В.1, Петропавловская Л.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Представлены результаты исследования высоковольтных арсенидгаллиевых диодных переключателей с характерными субнаносекундными временами спада обратного тока при переключении их из прямого смещения на обратное. Исследованные структуры имели близкое к диодам с накоплением заряда распределение концентрации примеси в базовых областях и работали в режимах, соответствующих режимам включения кремниевых высоковольтных дрейфовых диодов с резким восстановлением. Показаны перспективы использования представленных арсенидгаллиевых диодов для формирования импульсов с фронтом в несколько сотен пикосекунд на токи в сотни ампер и напряжения в несколько киловольт, с частотами в сотни килогерц.
  1. Гаряинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М.: Энергия, 1970. 320 с
  2. Горбатюк А.В. Препринт 962. Л., 1985. 61 с
  3. Еремин С.А., Мокеев О.К., Носов Ю.Р. Полупроводниковые диоды с накоплением заряда. М.: Сов. радио, 1966. 142 с
  4. Грехов И.В., Ефанов В.М., Кардо-Сысоев А.Ф., Шендерей С.В. // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. В. 7. С. 435--439
  5. Тучкевич В.М., Грехов И.В. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, 1988. 115 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.