"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией, полученные вертикальным анизотропным травлением
Гук Е.Г.1, Ткаченко А.Г.1, Токранова Н.А.1, Границына Л.С.1, Астрова Е.В.1, Подласкин Б.Г.1, Нащекин А.В.1, Шульпина И.Л.1, Рутковский С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Получены и исследованы КСДИ-структуры с вертикальными изолирующими стенками для многоэлементных устройств, в которых требуются глубокие карманы монокристаллического кремния и высокая плотность упаковки элементов. Технология получения структур базируется на анизотропном травлении кремния ориентации (110) и заполнении полученных канавок кремниевой суспензией на основе кремнийорганического полимера.
  1. Брюхно Н.А., Жарковский Е.М., Концевой Ю.А. и др. // Обзоры по электронной технике. Сер. 3. Микроэлектроника. 1987. В. 4. 40 с
  2. Kendall D.L. // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 26. P. 195--203
  3. Bean K.E., Runyan W.R. // J. Electrochem. Soc. 1979. V. 124. N 1. P. 5C--12C
  4. Ottow S., Lehmann V., Foll H. // J. Electrochem. Soc. 1996. V. 143. N 1. P. 385--390
  5. Warrick E.L. et al. // Rubber Chem. Techn. 1979. V. 52. N 3. P. 437--525
  6. Kendall D.L. // Ann. Rev. Mater. Sci. 1979. V. 9. P. 373--403

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.