Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2001, выпуск 1 » Статья стр. 39
<<<>>>
Глубокая модуляция проводимости в перовскитном сегнетоэлектрическом полевом транзисторе
Веселовский И.А.1, Грехов И.В.1, Делимова Л.А.1, Линийчук И.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
PDF версия
В полностью перовскитном полевом транзисторе с сегнетоэлектриком (Pb0.95La0.05)(Zr0.2Ti0.8)O3 в качестве подзатворного изолятора при комнатной температуре наблюдалась глубокая модуляция проводимости канала La1.94Sr0.06CuO4. Проводимость канала контролировалась прыжковым механизмом с переменной длиной прыжка и кулоновской щелью на уровне Ферми.
  1. Watanabe Y. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66 (14). P. 1770--1772
  2. Ahn C.H., Hammond R.H., Geballe T.H., Reasley M.R., Triscone J.-M., Decroux M., Fischer O., Antognaza L., Char K. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70 (2). P. 206--208
  3. Грехов И.В., Делимова Л.А., Линийчук И.А., Семчинова О.К., Третьяков В.В. // Сверхпроводимость: ФХТ. 1990. Т. 3 (Ч. 1). С. 1708--1711
  4. Stolichnov I., Tagantsev A. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. P. 3216--3225
  5. Watanabe Y. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. P. 11 257--11 266
  6. Taganstsev A., Kholkin A., Colla E., Brook K., Setter N. // Int. Ferroel. 1995. V. 10. P. 189--204
  7. Chou F., Cho J., Johnston D. // Physica C. 1992. V. 197. P. 303--314
  8. Boikov Yu., Esayan S., Ivanov Z., Brorsson G., Claeson T., Lee J., Safari A. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61 (5) P. 528--530
  9. Эфрос А.Л., Шкловский Б.И. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979
  10. Cheong S.-W., Fisk Z., Kwok R., Remeika J., Thompson J., Cruner G. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. P. 5916--5919

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme