Вышедшие номера
Глубокая модуляция проводимости в перовскитном сегнетоэлектрическом полевом транзисторе
Веселовский И.А.1, Грехов И.В.1, Делимова Л.А.1, Линийчук И.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

В полностью перовскитном полевом транзисторе с сегнетоэлектриком (Pb0.95La0.05)(Zr0.2Ti0.8)O3 в качестве подзатворного изолятора при комнатной температуре наблюдалась глубокая модуляция проводимости канала La1.94Sr0.06CuO4. Проводимость канала контролировалась прыжковым механизмом с переменной длиной прыжка и кулоновской щелью на уровне Ферми.