ФТП, 2010, том 44, выпуск 1ФТП, 2010, том 44, выпуск 1| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Обзоры | |
| Соболев Н.А. Инженерия дефектов в имплантационной технологии кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией | 3 |
|---|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Смирнова Н.Н., Теруков Е.И. Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа | 26 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Орлов А.Ф., Балагуров Л.А., Кулеманов И.В., Пархоменко Ю.Н., Картавых А.В., Сарайкин В.В., Агафонов Ю.А., Зиненко В.И. Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем | 30 |
| Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш., Абдуллаев А.А., Сульянов С.Н. Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием | 34 |
| Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Выращивание монокристаллов (InS)(FeInS) и свойства фоточувствительных структур на их основе | 39 |
| Бондаренко В.Б., Давыдов С.Н., Филимонов А.В. Естественные неоднородности потенциала на поверхности полупроводника при равновесном распределении примеси | 44 |
| Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Осипова М.А., Боднарь И.В. Обнаружение твердых растворов (InS)(MnInS) и создание фоточувствительных структур на их основе | 48 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Фирсов Д.А., Shterengas L., Kipshidze G., Зерова В.Л., Hosoda T., Тхумронгсилапа П., Воробьев Л.Е., Belenky G. Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах | 53 |
| Якушев М.В., Швец В.А., Азаров И.А., Рыхлицкий С.В., Сидоров Ю.Г., Спесивцев Е.В., Шамирзаев Т.С. Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев CdZnTe методом спектральной эллипсометрии | 62 |
| Низкоразмерные системы | |
| Михайлова М.П., Иванов Э.В., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П., Hulicius E., Hospodkova A., Pangrac J., u Simeu cek T. Электролюминесценция в гетероструктурах II типа -InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице | 69 |
| Алышев С.В., Забежайлов А.О., Миронов Р.А., Козловский В.И., Дианов Е.М. Формирование полупроводниковых 3D наноструктур на основе ZnSe | 75 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Казакова Л.П., Цэндин К.Д., Лебедев Э.А., Арсова Д., Обухова И.А. Перенос носителей зарядов в пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника состава GeAsS | 79 |
| Корсунская Н.Е., Стара Т.Р., Хоменкова Л.Ю., Свеженцова Е.В., Мельниченко Н.Н., Сизов Ф.Ф. Природа излучения пористого кремния, полученного химическим травлением | 82 |
| Голоденко А.Б. Оценка адекватности фрактальной модели атомной структуры аморфного кремния | 87 |
| Гонгальский М.Б., Константинова Е.А., Осминкина Л.А., Тимошенко В.Ю. Детектирование синглетного кислорода, образующегося при фотовозбуждении нанокристаллов пористого кремния, методом фотолюминесценции | 92 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Черкашин Н.А., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Мизеров М.Н., Park Hee Seok, Hytch M., Hue F. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона нм | 96 |
| Роках А.Г., Матасов М.Д. Парадоксы фотопроводящей мишени и оптическое управление выходом вторичных ионов | 101 |
| Кукушкин В.А. Эффективная конверсия инфракрасных импульсов в терагерцовые в волноведущих полупроводниковых гетероструктурах | 109 |
| Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур | |
| Сибирев Н.В., Назаренко М.В., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Дубровский В.Г. Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов | 114 |
| Панин А.В., Шугуров А.Р., Ивонин И.В., Шестериков Е.В. Роль распределения напряжений на границе раздела пленка(барьерный подслой) в формировании силицидов меди | 118 |
| Лундин В.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Сахаров А.В., Усов С.О., Николаев А.Е., Давыдов Д.В., Черкашин Н.А., Цацульников А.Ф. Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов | 126 |
| Настовьяк А.Г., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш. Моделирование роста нановискеров методом Монте-Карло | 130 |
| Персоналии | |
| Памяти Михаила Григорьевича Мильвидского | 136 |