Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Естественные неоднородности потенциала на поверхности полупроводника при равновесном распределении примеси

Бондаренко В.Б.¹, Давыдов С.Н.¹, Филимонов А.В.¹

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 19 мая 2009 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обсуждаются естественные неоднородности потенциала на поверхности легированного полупроводника при формировании равновесного диффузионного распределения электроактивной примеси в слоях пространственного заряда. Определены характерные значения случайного потенциала в случае невырожденного поверхностного электронного газа. Показана зависимость данных неоднородностей от параметров поверхности и объема.

В.Б. Бондаренко, Ю.А. Кудинов, С.Г. Ершов, В.В. Кораблев. ФТП, 30 (11), 2068 (1996)
В.Б. Бондаренко, М.В. Кузьмин, В.В. Кораблев. ФТП, 35 (8), 964 (2001)
В.Б. Бондаренко, В.В. Кораблев, Ю.И. Равич. ФТП, 38 (3), 331 (2004)
Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
С.Г. Дмитриев, В.Ю. Маркин. ФТП, 32 (12), 1439 (1998)
Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999)
В.В. Гавриловец, В.Б. Бондаренко, Ю.А. Кудинов, В.В. Кораблев. ФТП, 34 (4), 455 (2000)
С.Г. Дмитриев, В.Ю. Маркин. ФТП, 34 (8), 970 (2000)
С.Г. Дмитриев, В.Ю. Маркин. ФТП, 36 (2), 205 (2002)
Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
И.С. Градштейн, И.М. Рыжик. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений (М., Наука, 1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель