"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Выращивание монокристаллов (In2S3)x(FeIn2S4)1-x и свойства фоточувствительных структур на их основе
Боднарь И.В.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3, Теруков Е.И.3
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Установлена полная взаимная растворимость в системе (In2S3)x(FeIn2S4)1-x. Развита технология и впервые выращены монокристаллы непрерывного ряда твердых растворов (In2S3)x(FeIn2S4)1-x. Получена линейная зависимость параметра элементарной ячейки монокристаллов с кубической решеткой шпинели от состава твердых растворов. Созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки и на основании исследований их фоточувствительности обсуждается характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны в зависимости от атомного состава. Обнаружена возможность использования полученных твердых растворов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения.
  • Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
  • Р.Н. Бекимбетов, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТП, 21, 1051 (1987)
  • Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП 38, 164 (2004)
  • H.D. Lutz, M. Feher. Spectrochim. Acta, 27A, 357 (1971)
  • V. Sagredo, M.C. Moron, L. Betancourt, G.E. Delgado. J. Magnetism. Mat., 312, 294 (2007)
  • А.В. Ведяев. УФН, 172, 1458 (2002)
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ. 1981)
  • J.S. Blakemore. Semiconductor Statistic (Pergamon Press, N.Y., 1962)
  • Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.