"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах
Фирсов Д.А.1, Shterengas L.2, Kipshidze G.2, Зерова В.Л.1, Hosoda T.2, Тхумронгсилапа П.1, Воробьев Л.Е.1, Belenky G.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Electric and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, New York, USA
Поступила в редакцию: 6 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

В структурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов InGaAsSb и с барьерами на базе AlGaAsSb и AlInGaAsSb исследована динамика межзонной фотолюминесценции при различных температурах и уровнях возбуждения. Экспериментально определены времена жизни оптически инжектированных носителей заряда в квантовых ямах при разных температурах и уровнях оптического возбуждения. Увеличение скорости рекомбинации в структурах с более глубокими квантовыми ямами InGaAsSb / AlGaAsSb для электронов связывается с проявлением резонансной оже-рекомбинации. Оже-рекомбинация приводит к разогреву электронов и дырок в нижних подзонах размерного квантования. Оценена температура носителей заряда при оже-рекомбинации с использованием уравнения баланса мощности, учитывающего накопление неравновесных оптических фононов. На основе исследованных структур изготовлены лазеры двух типов на длину волны около 3 мкм; показано, что использование пятикомпонентного твердого раствора в качестве материала барьера приводит к улучшению характеристик лазеров.
  • Y. Bai, S. Slivken, S.R. Darvish, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 93, 021 103 (2008)
  • D.Z. Garbuzov, R.V. Martinelli, H. Lee, R.J. Menna, P.K. York, L.A. DiMarco, M.G. Harvey, R.J. Matarese, S.Y. Narayan, J.C. Connoly. Appl. Phys. Kett., 70, 2931 (1997)
  • D.Z. Garbuzov, H.Lee, V. Khalfin, R. Martinelli, J.C. Connoly, G.L. Belenky. IEEE Phot. Technol. Lett., 11, 794 (1999)
  • S. Simanowski, N. Herres, C. Mermelstein, R. Kiefer, J. Schmitz, M. Walther, J. Wagner, G. Weinmann. J. Cryst. Growth, 209, 15 (2000)
  • Y. Rouillard, F. Genty, A. Perona, A. Vicet, D.A. Yarekha, G. Boissier, P. Grech, A.N. Baranov, C. Alibert. Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A, 359, 581 (2001)
  • J.G. Kim, L. Shterengas, R.U. Martinelli, G.L. Belenky, D.Z. Garbuzov, W.K. Chan. Appl. Phys. Lett., 81, 3146 (2002)
  • M. Garcia, A. Salhi, A. Perona, Y. Rouillard, C. Sirtori, X. Marcadet, C. Alibert. IEEE Phot. Technol. Lett., 16, 1253 (2004)
  • L. Shterengas, G.L. Belenky, J.G. Kim, R.U. Martinelli. Semicond. Sci. Technol., 19, 655 (2004)
  • L. Shterengas, G. Belenky, M.V. Kisin, D. Donetsky. Appl. Phys. Lett., 90, 011 119 (2007)
  • G.L. Belenky, L. Shterengas, J.G. Kim, R.U. Martinelli, L.E. Vorobjev. Future Trends in Microelectronics, ed. by S. Luryi, J. Xu, A. Zaslavsky (John Wiley and Sons, Inc., 2004) p. 349
  • K. Shim, H. Rabitz, P. Datta. J. Appl. Phys., 88 (12), 7157 (2000)
  • Л.Е. Воробьев, В.Л. Зерова, К.С. Борщев, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, G. Belenky. ФТП, 42 (6), 753 (2008)
  • Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (5), 566 (2008); ФТП, 42 (5), 573 (2008)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  • J. Shah. IEEE J. Quant. Electron., 24, 276 (1988)
  • G. Rain\`o, A. Salhi, V. Tasco, R. Intartaglia, R. Cingolani, Y. Rouillard, E. Tournie, M. De Giorgi. Appl. Phys. Lett., 92, 101 931 (2008)
  • P. Kinsler, P. Harrison, R.W. Kelsall. Phys. Rev. B, 58 (8), 4771 (1998)
  • В.Л. Зерова, Л.Е. Воробьев, Г.Г. Зегря. ФТП, 38 (6), 716 (2003)
  • Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, В.Л. Зерова, Д.А. Фирсов. ФТП, 37 (5), 604 (2003).
  • Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, М.Е. Левинштейн, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах (СПб., Наука, 2000)
  • J. Chen, D. Donetsky, L. Shterengas, M.V. Kisin, G. Kipshidze, G. Belenky. IEEE J. Quant. Electron., 44 (12), 1204 (2008)
  • Spectroscopy of Nonequilibrium Electrons and Phonons, ed. by C.V. Shank, B.P. Zakharchenya (North-Holland Amsterdam-London-N.Y.-Tokyo, 1992) Chap. 3. Non-equilibrium Phonons in Semiconductors
  • D.-J. Jang, M. Flatte, C.H. Grein, J.T. Olesberg, T.C. Hasenberg, T.F. Bogges. Phys. Rev. B, 58 (19), 13 047 (1998)
  • Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, Г.Г. Зегря. Изв. РАН. Сер. физ., 65 (2), 230 (2001)
  • T. Hosoda, G. Belenky, L. Shterengas, G. Kipshidze, M.V. Kisin. Appl. Phys. Lett., 92, 091 106 (2008)
  • L. Shterengas, G. Belenky, G. Kipshidze, T. Hosoda. Appl. Phys. Lett., 92, 171 111 (2008).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.