"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd1-zZnzTe методом спектральной эллипсометрии
Якушев М.В.1, Швец В.А.1,2, Азаров И.А.1, Рыхлицкий С.В.1, Сидоров Ю.Г.1, Спесивцев Е.В.1, Шамирзаев Т.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Представлен программно-аппаратный комплекс на основе спектрального эллипсометра, интегрированного в установку молекулярно-лучевой эпитаксии, предназначенный для контроля состава твердого раствора Cd1-zZnzTe при малых значениях z. Рассмотрены методические особенности определения состава растущих слоев из спектров эллипсометрических параметров. Разработана методика определения состава по краю поглощения, которая позволяет с точностью 1.2% измерять этот параметр. Рассмотрены проблемы, решение которых позволит повысить разрешение по составу. В частности, для этого требуется поддержание стабильной температуры в процессе роста.
  • В.С. Варавин, А.К. Гутаковский, С.А. Дворецкий, В.А. Карташов, А.В. Латышев, Н.Н. Михайлов, Д.Н. Придачин, В.Г. Ремесник, С.В. Рыхлицкий, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.П. Титов, В.А. Швец, М.В. Якушев, А.Л. Асеев. Прикл. физика, 6, 25 (2002)
  • К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, С.И. Чикичев, Д.Н. Придачин. Автометрия, 4, 100 (1996)
  • К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин. ЖТФ, 65 (9), 110 (1995)
  • V.A. Shvets, S.V. Rykhlitski, E.V. Spesivtsev, N.A. Aulchenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, R.N. Smirnov. Thin Sol. Films, 455--456, 688 (2004)
  • Н.Н. Михайлов, В.А. Швец, С.А. Дворецкий, Е.В. Спесивцев, Ю.Г. Сидоров, С.В. Рыхлицкий, Р.Н. Смирнов. Автометрия, 2, 71 (2003)
  • M. Daraselia, G. Brill, J.W. Garland, V. Nathan, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 29 (6), 742 (2000)
  • Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.П. Анциферов. Оптич. журн., 67 (1), 39 (2000)
  • М.В. Якушев, А.А. Бабенко, В.С. Варавин, В.В. Васильев, Л.В. Миронова, Д.Н. Придачин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.О. Сусляков. Прикл. физика, 4, 108 (2007)
  • Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец. Патент РФ N 2302623 (2007)
  • В.А. Швец, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий. Опт. и спектр., 97 (3), 514 (2004)
  • O. Castaing, R. Granger, J.T. Banhal, R. Triboulet. J. Phys., 8, 5757 (1996)
  • S.P. Tobin, J.P. Tower, P.W. Norton, D. Chandler-Norowitz, P.M. Amirtharaj, V.C. Lopes, W.M. Duncan, A.J. Syllaios, C.K. Ard, N.C. Giles, J. Lee. R. Balasubramanian, A.B. Bollong, T.W. Steiner, M.L.W. Thewalt, D.K. Bowen, B.K. Tanner. J. Electron. Mater., 24, 697 (1995)
  • S. Adachi. Optical constans of crystalline and amorphous semicnductors (Boston--Dordrecht--London, Kluwer Academic Publishers, 1999) D16
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.