"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Синицын М.А.1,2, Сахаров А.В.1,2, Усов С.О.1,2, Николаев А.Е.1,2, Давыдов Д.В.1,2, Черкашин Н.А.3, Цацульников А.Ф.1,2
1Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration
Поступила в редакцию: 8 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Исследовано влияние давления в реакторе при росте активных областей InGaN/GaN светодиодов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на их электролюминесцентные и структурные свойства. Показано, что при увеличении давления происходит трансформация слоев InGaN от сплошных в латеральном направлении к слоям изолированных InGaN-островков. Данная трансформация влияет как на эффективность излучения, так и на зависимость эффективности от тока.
  • H. Tokunaga, A. Ubukata, Y. Yano, A. Yamaguchi, N. Akutsu, T. Yamasaki, K. Matsumoto. J. Gryst. Growth, 272 (1-4), 348 (2004)
  • Sadahiro Kato, Yoshihiro Satoh, Hitoshi Sasaki, Iwami Masayuki, Seikoh Yoshida. J. Cryst. Growth, 298, 831 (2007)
  • A. Strittmatter, L. Reissmann, R. Seguin, S. Rodt, A. Brostowski, U.W. Pohl, D. Bimberg, E. Hahn, D. Gerthsen. J. Gryst. Growth, 272 (1-4), 415 (2004)
  • T. Chung, J.-B. Limb, U. Chowdhury, P. Li, J.-H. Ryou, D. Yoo, D. Zakharov, Z. Liliental-Weber, R.D. Dupuis. Phys. Status Solidi C, 2 (7), 2157 (2005)
  • A.V. Kondratyev, R.A. Talalaev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, A.V. Fomin, D.S. Sizov. J. Gryst. Growth, 272, 420 (2004)
  • K. Yanashima, S. Hashimoto, T. Hino, K. Funato, T. Kobayashi, K. Naganuma, T. Tojyo, T. Asano, T. Asatsuma, T. Miyajima, M. Ikeda. J. Electron. Mater., 28 (3), 287 (1999)
  • R.A. Talalaev, E.V. Yakovlev, S.Yu. Karpov, I.Yu. Estratov, A.N. Vorobev, Yu.N. Makarov. Phys. Status Solidi A, 176, 253 (1999)
  • Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, А.Ф. Цацульников. Тез. докл. 5-й Всеросс. конф. Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы (31 января-2 февраля 2007 года, Москва) с. 156
  • С.А. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, С.А. Усов, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Н.А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е.В. Яковлев, А.В. Лобанова, А.Ф. Цацульников. ФТП, 43 (6), 841 (2009)
  • А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, Hee Seok Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44 (01), 6023 (2010)
  • A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Proc. IWN2000 (Nagoya, Sept. 24-27, 2000)
  • W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, A.V. Lobanova, A.S. Segal. 13-=SUP=-th-=/SUP=- Europ. Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Ulm, Germany, June 7-10, 2009). Extended anstracts
  • Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 80 (12), 2099 (2002)
  • R.W. Martin, P.G. Middleton, K.P. O'Donnell, W. Van Der Stricht. Appl. Phys. Lett., 74 (2), 263 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.