"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Роль распределения напряжений на границе раздела пленка-(барьерный подслой) в формировании силицидов меди
Панин А.В.1, Шугуров А.Р.1, Ивонин И.В.2, Шестериков Е.В.3
1Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук, Томск, Россия
2Томский государственный университет, Томск, Россия
3Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, а также энергодисперсионного микроанализа исследован процесс образования силицидов в тонких пленках Cu при термическом отжиге. Показано, что периодическое распределение напряжений, возникающее при повышенных температурах на границе раздела пленка-(барьерный подслой), может определять характер формирования силицидов меди. Исследовано влияние материала барьерного подслоя и кристаллографической ориентации подложки на плотность распределения и форму кристаллитов Cu3Si.
  • B. Li, T.D. Sullivan, T.C. Lee, D. Badami. Microelectron. Reliab., 44 (3), 365 (2004)
  • Y.K. Ko, J.H. Jang, S. Lee, H.J. Yang, W.H. Lee, P.J. Reucroft, J.G. Lee. J. Mater. Sci., 38, 217 (2003)
  • J.P. Chu, C.H. Lin, Y.Y. Hsieh. J. Electron. Mater., 35 (1), 76 (2006)
  • S. Tsukimoto, T. Kabe, K. Ito, M. Murakami. J. Electron. Mater., 36 (3), 258 (2007)
  • Y. Ezer, J. Harkonen, S. Arpiainen, V. Sokolov, P. Kuivalainen, J. Saarilahti, J. Kaitila. Physica Scripta, T79, 228 (1999)
  • S.Y. Jang, S.M. Lee, H.K. Baik. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 7, 271 (1996)
  • J.S. Fang, T.P. Hsu, G.S. Chen. J. Electron. Mater., 35 (1), 15 (2006)
  • Y. Shacham-Diamand. J. Electron. Mater., 30 (4), 336 (2001)
  • Тонкие пленки --- взаимная диффузия и реакции, под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: Thin Films --- Interdiffusion and Reactions, ed. by J.M. Poate, K.N. Tu, J.W. Mayer (N. Y., John Wiley and Sons, 1978)]
  • L.B. Freund, S. Suresh. Thin Film Materials: Stress, Defect Formation and Surface Evolution (Cambridge, Cambridge Universiry Press, 2003)
  • X.-Y. Gong, D.R. Clarke. Oxid. Met., 50 (5-6), 355 (1998)
  • M.Y. He, A.G. Evans, J.W. Hutchinson. Acta Mater., 48, 2593 (2000)
  • J.O. Olowolafe, J. Li, J.W. Mayer. J. Appl. Phys., 68 (12), 6207 (1990)
  • W. Schroter, V. Kevder, M. Seibt, H. Ewe, H. Hedemann, F. Riedel, A. Sattler. Mater. Sci. Eng., B72, 80 (2000)
  • J.H. Zhao, M. Zhang, R.P. Liu, X.Y. Zhang, L.M. Cao, D.Y. Dai, H. Chen, Y.F. Xu. J. Mater. Res., 14 (7), 2888 (1990)
  • S. Hong, S. Lee, Y. Ko, J. Lee. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 766, 119 (2003)
  • D. Vale, G. Weber, B. Gillot. Oxid. Met., 35 (5-6), 415 (1991).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.