"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Памяти Михаила Григорьевича Мильвидского (1932-2009)
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
Скоропостижно ушел из жизни доктор технических наук, профессор, лауреат Ленинской примии, дважды лауреат Государственной премии СССР, Заслуженный деятель науки РФ, Почетный металлург РФ Михаил Григорьевич Мильвидский. Михаил Григорьевич хорошо известен в России и за рубежом как выдающийся специалист в области полупроводникового материаловедения. Его интенсивная научная жизнь началась в 1956 г. после окончания Московского института стали и сплавов (МИСиС). В то время в нашей стране полупроводниковое материаловедение как самостоятельная область науки только становилось на ноги и едва ли не главной задачей была разработка технологии и организация промышленного производства кремния, по настоящее время являющегося основным полупроводниковым материалом мировой микроэлектроники. Михаил Григорьевич внес существенный вклад в решение этой проблемы, отмеченный в 1964 г. присуждением Ленинской премии. Цикл последующих работ Михаила Григорьевича относился к разработке технологии и организации производства арсенида галлия (Государственная премия СССР 1975 г.). В 1985 г. Михаил Григорьевич был вновь удостоен Государственной премии СССР за участие в решении проблемы создания высокоэффективных инжекционных лазеров, световодов и фотоприемников на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Огромным достоинством работ Михаила Григорьевича является широкий охват основных проблем полупроводникового материаловедения и глубокий подход к их решению. Тематика его исследований включает процессы роста различных материалов, изменение свойств полупроводников при технологических воздействиях, сопровождающих изготовление полупроводниковых приборов, эффекты, происходящие в приборах в процессе их эксплуатации. Михаил Григорьевич всегда ставил перед собой, своими сотрудниками и учениками задачу не просто понять, почему и как изменяются свойства полупроводника, но и определить, что необходимо предпринять, для того чтобы минимизировать нежелательные изменения свойств кристаллов и при возможности так воздействовать на материал, чтобы улучшить его свойства и характеристики приборов. [!t] Немало сил отдавал Михаил Григорьевич научно-организационной и педагогической работе. Он принимал активное учатие в работе Научных советов РАН по физике полупроводников и физико-механическим основам полупроводникового материаловедения, а также ученых советов Гиредмета, института Кристаллографии РАН и МИСиС. Все, кто слушал его лекции и доклады на конференциях, единодушны в том, что он органично сочетал глубокое знание предмета с ярким и убедительным изложением материала. Это полностью относится и к многочисленным трудам Михаила Григорьевича, который является автором нескольких монографий и более чем 500 публикаций. Михаил Григорьевич подготовил большое количество докторов и кандидатов наук и создал признанную в мире школу материаловедов. Интеллектуальная мощь и эрудиция сочетались в Михаиле Григорьевиче с обаянием, заразительным оптимизмом и доброжелательностью. Уход Михаила Григорьевича означает невосполнимую потерю для научного сообщества России. Светлая ему память. Ж. И. Алфёров, В. Н. Мордкович, А. А. Гиппиус, В. В. Емцев, Р. А. Сурис, С. Г. Конников, З. Ф. Красильник, И. В. Грехов, А. В. Елютин, М. Я. Дашевский, П. С. Копьев Коллеги и друзья Редколлегия журнала << Физика и техника полупроводников>> выражает свое соболезнование
  • J. Goldberger, A.I. Hochbaum, R. Fan, P. Yang. Nano Lett., 6 (5), 973 (2006)
  • P.J. Pauzauskie, P. Yang. Materials Today, 9 (10), 36 (2006)
  • C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L.F. Feiner, A. Forchet, M. Scheffler, W. Riess, B.J. Ohlsson, U. Gosele, L. Samuelson. Materials Today, 9 (10), 28 (2006)
  • Y.C. Cui, Q. Wei, H. Park, C.M. Lieber. Science, 293, 1289 (2001)
  • Е.И. Гиваргизов. Кристаллография, 51 (5), 947 (2006)
  • J.-G. Fan, D. Dyer, G. Zhang, Y.-P. Zhao. Nano Lett., 4 (11), 2133 (2004)
  • T.I. Kamins, R.S. Williams, D.P. Basile, T. Hesjedal, J.S. Harris. J. Appl. Phys., 89 (2), 1008 (2001)
  • S.Q. Feng, D.P. Yu, H.Z. Zhang, Z.G. Bai, Y. Ding. J. Cryst. Growth, 209, 513 (2000)
  • Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977)
  • L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84 (24), 4968 (2004)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  • K.A. Dick, K. Deppert, T. Martensson, B. Mandl, L. Samuelson, W. Seifert. Nano Lett., 5 (4), 761 (2005)
  • Y.F. Zhang, Y.H. Tang, N. Wang, C.S. Lee, I. Bello, S.T. Lee. J. Cryst. Growth, 197, 136 (1999)
  • N. Zakharov, P. Werner, L. Sokolov, U. Gosele. Physica E, 37 (1--2), 148 (2007)
  • S. Kodambaka, J. Tersoff, M.C. Reuter, F.M. Ross. Phys. Rev. Lett., 96, 096 105 (2006)
  • R. Dujardin, V. Poydenot, T. Devillers, V. Favre-Nicolin, P. Gentile, A. Barski. Appl. Phys. Lett., 89, 153 129 (2006)
  • И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, А.В. Веретеха, А.Г. Гладышев, В.М. Устинов. ФТТ, 48 (4), 737 (2006)
  • V. Shmidt, S. Senz, U. Gosele. Nano Lett., 5 (5), 931 (2005)
  • T. Vo, A.J. Williamson, G. Galli. Rev. B, 74, 045 116 (2006)
  • J. Westwater, D.P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, H. Ruda. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (3), 554 (1997)
  • J. Kikkawa, Y. Ohno, S. Takeda. Appl. Phys. Lett., 86, 123 109 (2005)
  • H. Jagannathan, M. Deal, Y. Nishi, J. Woodruff, C. Chidsey, P.C. McIntyre. J. Appl. Phys., 100, 024 318 (2006)
  • Ю.В. Найдич, В.М. Перевертайло, Л.П. Обущак. Физическая химия конденсированных фаз, сверхтвердых материалов и их границ раздела (Киев, Наук. думка, 1975) с. 3
  • V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Phys. Rev. E, 73, 021 603 (2006)
  • I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz, Z.Sh. Yanovitskay, A.V. Zverev. Comput. Phys. Commun., 147, 272 (2002)
  • А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров, В.А. Кузнецов, Л.Н. Демьянец, А.Н. Лобачев. Современная кристаллография (М., Наука, 1980) т. 3, гл. 1, с. 54
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.