ФТП, 2005, том 39, выпуск 10

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Дейбук В.Г., Дремлюженко С.Г., Остапов С.Э. Термодинамическая устойчивость объемных и эпитаксиальных твердых растворов CdHgTe, ZnHgTe, MnHgTe	1153

Электронные и оптические свойства полупроводников
Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В. Низкотемпературное микроволновое магнитосопротивление слабо легированных $p$ -Ge и сплава $p$ -Ge_1-xSi_x	1159
Бережинский Л.И., Венгер Е.Ф., Матяш И.Е., Саченко А.В., Сердега Б.К. Особенности физического дифференцирования по коэффициенту поглощения света в спектрах вентильной фотоэдс	1164
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Мельникова Т.М., Абросимов Н.В. Механизм излучательной рекомбинации в твердых растворах Si--Ge в области межзонных переходов	1170
Баграев Н.Т., Романов В.В. Магнетизм кристаллов A^IIIB^V, легированных редкими землями	1173

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Сапаев Б., Саидов А.С. Исследование некоторых свойств структур Si--Si_1-xGe_x ( $0=<q x=<q 1$ ), выращенных из ограниченного оловянного раствора--расплава методом жидкофазной эпитаксии	1183
Вишняков Н.В., Вихров С.П., Мишустин В.Г., Авачев А.П., Уточкин И.Г., Попов А.А. Формирование потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках	1189
Антонова И.В. Стабилизация заряда на границе со скрытым диэлектриком структур кремний-на-изоляторе	1195

Низкоразмерные системы
Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Barthou C. Излучательная рекомбинация нанокристаллов GaN при большой мощности оптического возбуждения	1200
Вдовин Е.Е., Ханин Ю.Н. Спиновое расщепление примесных состояний доноров, связанных с $X$ -долиной в AlAs-барьере, и пространственное распределение плотности вероятности их волновых функций	1204
Горохов Е.Б., Володин В.А., Марин Д.В., Орехов Д.А., Черков А.Г., Гутаковский А.К., Швец В.А., Борисов А.Г., Ефремов М.Д. Влияние квантово-размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge в пленках GeO₂	1210
Курганский С.И., Борщ Н.А., Переславцева Н.С. Электронная структура и спектральные характеристики клатратов Si₄₆ и Na₈Si₄₆	1218
Глинский Г.Ф., Андрианов А.В., Сресели О.М., Зиновьев Н.Н. Терагерцовая электролюминесценция за счет пространственно непрямых межподзонных переходов в квантово-каскадной структуре GaAs/AlGaAs	1224
Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Блохин С.А., Максимов М.В., Семенова Е.С., Васильев А.П., Жуков А.Е., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Бимберг Д. Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре в квантовых точках InAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAlAs	1230
Лебедев А.А., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С., Сайдашев И.И., Кузнецов А.Н., Черенков А.Е. Исследование свойств двумерного электронного газа в гетероструктурах $p$ ^-- $3C$ -SiC/ $n$ ⁺- $6H$ -SiC при низких температурах	1236

Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Данько В.А., Индутный И.З., Лысенко В.С., Майданчук И.Ю., Минько В.И., Назаров А.Н., Ткаченко А.С., Шепелявый П.Е. Кинетика фазово-структурных преобразований в тонких пленках SiO_x в процессе быстрого термического отжига	1239

Физика полупроводниковых приборов
Гергель В.А., Якупов М.Н. Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала в теории МОП транзистора	1246
Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И., Смирнов В.А., Евтихиев В.П., Пихтин Н.А., Растегаева М.Г., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Школьник А.С., Зегря Г.Г. Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах	1252
Стафеев В.И., Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Акимов В.М., Климанов Е.А., Сагинов Л.Д., Соляков В.Н., Мансветов Н.Г., Пономаренко В.П., Тимофеев А.А., Филачев А.М. Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из Cd_xHg_1-xTe	1257
Хрипунов Г.С. Структурные механизмы оптимизации фотоэлектрических свойств пленочных гетеросистем CdS/CdTe	1266
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Шек Е.И., Феклисова О.В., Якимов Е.Б. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$ -Si, подвергнутых деформации	1271