"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кинетика фазово-структурных преобразований в тонких пленках SiOx в процессе быстрого термического отжига
Данько В.А.1, Индутный И.З.1, Лысенко В.С.1, Майданчук И.Ю.1, Минько В.И.1, Назаров А.Н.1, Ткаченко А.С.1, Шепелявый П.Е.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 18 января 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Методами инфракрасной спектроскопии и фотолюминесценции изучались процессы изменения состава оксидной фазы пленки SiOx и выделения фазы Si в процессе быстрого термического отжига в интервалах времен 1--40 с и температур 500--1000oC. При температурах 600--700oC впервые наблюдалась кинетика фазовыделения: рост количества выпавшего кремния с увеличением времени отжига и выход на насыщение. При температурах выше 900oC процесс разделения фаз завершается уже за 1 c. В рамках модели диффузионно-контролируемого формирования наночастиц Si проведена оценка величины коэффициента диффузии. Полученные значения на 5--10 порядков превышают коэффициенты диффузии кремния в SiO2 и Si и сравнимы с коэффициентами диффузии кислорода в подобных структурах. Предполагается, что именно подвижность кислорода лежит в основе механизма структурно-фазовых превращений слоев SiOx и образования наночастиц Si в процессе отжига.
  • M. Molinary, H. Rinnert, H. Vergnat. Appl. Phys. Lett., 82, 2877 (2003)
  • В.Я. Братусь, В.А. Юхимчук, Л.И. Бережинский, М.Я. Валах, И.П. Ворона, И.З. Индутный, Т.Т. Петренко, П.Е. Шепелявый, И.Б. Янчук. ФТП, 35, 854 (2001)
  • И.П. Лисовский, И.З. Индутный, Б.Н. Гненный, П.М. Литвин, Д.О. Мазунов, А.С. Оберемок, Н.В. Сопинский, П.Е. Шепелявый. ФТП, 37, 98 (2003)
  • B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodrigues, R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys., 91, 798 (2002)
  • M. Lopez, B. Garrido, C. Garcia, P. Pellegrino, A. Perez-Rodrigues. Appl. Phys. Lett., 80, 1637 (2002)
  • B. Gallas, C.-C. Kao, S. Fission, G. Vuye, J. Rivory, Y. Bernard, C. Belouet. Appl. Surf. Sci., 185, 317 (2002)
  • Daigil Cha, Jung H. Shin, In-Hyuk Song, Min-Koo Han. Appl. Phys. Lett., 8, 1287 (2004)
  • Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В. Скорупа, Р.А. Янков, К.С. Журавлев, Н.А. Пазников, В.А. Володин, А.К. Гутаковский, А.Ф. Лейер. ФТП., 31, 730 (1997)
  • Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В.А. Скорупа, Р.А. Янков. ФТП, 32, 1317 (1998)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, М.-O. Ruault. ФТП, 36, 685 (2002)
  • G. Zuther. Phys. Status Solidi A, 59, K109 (1980)
  • D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, H. Hofmeister. J. Appl. Phys., 8, 4678 (2002)
  • M. Nakamura, V. Mochizuki, K. Usami, U. Yoto, T. Nozaki. Solid St. Commun., 50, 1079 (1984)
  • I.Z. Indutnyy, I.P. Lisovskyy, D.O. Mazunov, P.E. Shepeliavyi, G.Yu. Pudko, V.A. Dan'ko. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 7, 161 (2004)
  • Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов. ФТТ, 47, 17 (2005)
  • C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 48, 11 024 (1993)
  • L.A. Nesbit. Appl. Phys. Lett., 46 (1), 38 (1985)
  • D. Mathiot, J.P. Schunck, M. Perego, M. Fanciulli, P. Normand, C. Tsamis, D. Tsoukalas. J. Appl. Phys., 94, 2136 (2003)
  • Физические свойства. Свойства элементов (ч. 1). Справочник, под ред. В. Самсонова (М., Металлургия, 1976).
  • И.П. Лисовский, И.З. Индутный, В.Г. Литовченко, Б.М. Гненный, П.М. Литвин, Д.О. Мазунов, О.С. Оберемок, Н.В. Сопинский, П.Е. Шепелявый. Укр. физ. журн., 48, 250 (2003)
  • Технология СБИС, под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) т. 1.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.