"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературное микроволновое магнитосопротивление слабо легированных p-Ge и сплава p-Ge1-xSix
Вейнгер А.И.1, Забродский А.Г.1, Тиснек Т.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Исследовано магнитосопротивление слабо легированного сплава Ge1-xSix p-типа в области составов x=1-2 ат% и проведено сравнение с данными для слабо легированного p-Ge. Исследования проводились с помощью техники электронного парамагнитного резонанса на частоте 10 ГГц при температурах в диапазоне 10--120 K. Установлено, что наличие микронеоднородностей (кластеров) Si в решетке Ge подавляет интерференционную часть аномального магнитосопротивления, а также приводит к усреднению эффектов от легких и тяжелых дырок. Такое изменение свидетельствует о резком уменьшении времени неупругого рассеяния при переходе от Ge к твердому раствору Ge1-xSix.
  • И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос, И.Я. Янчев. ФТП, 11, 256 (1977)
  • A.I. Veinger, A.G. Zabrodskii, T.V. Tisnek, S.I. Goloshchapov. Sol. St. Commun., 2005, in print
  • А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. ФТП, 36, 826 (2002)
  • K. Seeger. Semiconductor Physics (Springer Verlag, Wien-N. Y., 1973) [Русск. пер.: К. Зеегер. Физика полупроводников] (М., Мир, 1977)
  • M. Glicksman. Phys. Rev., 111, 25 (1958)
  • В.Л. Бонч-Бруевич. Физика твердого тела (М., Наука, 1959) ч. 1, с. 182
  • A. Honig, E. Stupp. Phys. Rev., 117, 69 (1960)
  • А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Е.Н. Мохов. ФТП, 38, 816 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.