Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2005, выпуск 10 » Статья стр. 1230
<<<>>>
Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре в квантовых точках InAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAlAs
Крыжановская Н.В.1, Гладышев А.Г.1, Блохин С.А.1, Максимов М.В.1, Семенова Е.С.1, Васильев А.П.1, Жуков А.Е.1, Леденцов Н.Н.1,2, Устинов В.М.1, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 16 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
PDF версия
Исследовались оптические свойства квантовых точек в матрицах GaAs или Al0.3Ga0.7As, полученных путем последовательного заращивания начальных островков InAs, сформированных в режиме роста Странского-Крастанова, тонкими слоями AlAs и InAlAs. Показано, что в массивах таких квантовых точек отсутствует транспорт носителей между квантовыми точками в диапазоне температур от 10 до 300 K и реализуется неравновесное распределение носителей. Подавление температурных выбросов носителей из квантовых точек обусловлено увеличением энергетического зазора между уровнями основного и возбужденного состояний, отсутствием уровня смачивающего слоя, а также увеличением энергии локализации носителей в квантовых точках относительно состояний континуума в случае использования матрицы Al0.3Ga0.7As.
  1. M.V. Maximov, I.L. Krestnukov, Yu.M. Shernyakov, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, Yu.G. Musikhin, V.M. Ustinov, Zn.I. Alferov, A.Yu. Chernyshov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, T. Maka, C.M. Sotomayor Torres. J. Electron Mater., 29, 487 (2000)
  2. S. Ghosh, S. Pradhan, P. Bhattacharya. Appl. Phys. Lett., 81, 3055 (2002)
  3. D. Klotzkin, K. Kamath, K. Vineberg, P. Bhattacharya, R. Murty, J. Laskar. IEEE Photon. Techn. Lett., 10, 932 (1998)
  4. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)
  5. I. Mukhametzhanov, R. Heitz, J. Zeng, P. Chen, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 73, 1841 (1998)
  6. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukon, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000).
  7. A.F. Tsatsul'nikov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, Yu.M. Shernyakov, Yu.G. Musikhin, V.M. Ustinov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. J. Appl. Phys., 88, 6272 (2000)
  8. Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов. ФТП, 33, 990 (1999)
  9. Z.Y. Zhang, B. Xu, P. Jin, X.Q. Meng, Ch.M. Li, X.L. Ye, D.B. Li, Z.G. Wang. J. Cryst. Growth, 241, 304 (2002)
  10. I.R. Sellers, H.Y. Liu, M. Hopkinson, D.J. Mowbray, M.S. Skolnik. Appl. Phys. Lett., 83, 4710 (2003)
  11. М.В. Максимов, Д.С. Сизов, А.Г. Макаров, И.Н. Каяндер, Л.В. Асрян, А.Е. Жуков, В.М. Устинов, Н.А. Черкашин, Н.А. Берт, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg. ФТП, 38, 1245 (2004)
  12. Kenichi Nishi, Hideaki Saito, Shigeo Sugou, Jeong-Sik Lee. Appl. Phys. Lett., 74 (8), 1111 (1999)
  13. Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33 (8), 990 (1999)
  14. D.P. Popescu, P.G. Eliseev, A. Stintz, K.J. Malloy. Semicond. Sci. Techol., 19, 33 (2004)
  15. R. Heitz, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, L. Eckey, M. Veit, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68, 361 (1996)
  16. R. Heitz, M. Veit, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 56, 10 435 (1997)
  17. B. Jusserand, M. Cardona. Topics Appl. Phys., 66, 49 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme