ФТП, 2005, том 39, выпуск 11ФТП, 2005, том 39, выпуск 11| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Обзоры | |
| Данилова Т.Н., Журтанов Б.Е., Именков А.Н., Яковлев Ю.П. Светодиоды на основе твердых растворов GaSb для средней инфракрасной области спектра 1.6--4.4 мкм | 1281 |
|---|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э. Кинетика роста тонких пленок при зародышевом механизме формирования слоев | 1312 |
| Орлов Л.К., Смыслова Т.Н. Десорбция водорода с поверхности в условиях эпитаксиального наращивания слоев кремния из моносилана в вакууме | 1320 |
| Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Адсорбция, десорбция, контактная и термическая трансформация молекул C на поверхности Ta (100) | 1325 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Яшин А.Н. Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла для полупроводников с различными типами дефектов | 1331 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Ковтонюк Н.Ф., Мисник В.П., Соколов А.В. Чувствительность структур диэлектрик--полупроводник к нестационарным световым потокам | 1336 |
| Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Ушакова Т.Н. Фоточувствительность гетероструктур на мелкодисперсной фазе полупроводников | 1340 |
| Ковалев А.А., Жвавый С.П., Зыков Г.Л. Динамика лазерно-индуцированных фазовых переходов в теллуриде кадмия | 1345 |
| Низкоразмерные системы | |
| Сизов Д.С., Сизов В.С., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., Заварин Е.Е., Леденцов Н.Н. Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фототока | 1350 |
| Кульбачинский В.А., Рогозин В.А., Лунин Р.А., Белов А.А., Карузский А.Л., Пересторонин А.В., Здоровейщев А.В. Особенности фотолюминесценции структур InAs/GaAs с квантовыми точками при различной мощности накачки | 1354 |
| Синявский Э.П., Соковнич С.М., Хамидуллин Р.А. Межзонное поглощение света в размерно-ограниченных системах в однородном электрическом поле | 1359 |
| Вандышев Е.Н., Гилинский А.М., Шамирзаев Т.С., Журавлев К.С. Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов под действием электрического поля | 1365 |
| Аверкиев Н.С., Силов А.Ю. Циркулярная поляризация люминесценции, обусловленная током в квантовых ямах | 1370 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Емельченко Г.А., Грузинцев А.Н., Ковальчук М.Н., Масалов В.М., Самаров Э.Н., Якимов Е.Е., Barthou C., Зверькова И.И. Нанокомпозиты опал--ZnO: структура и эмиссионные свойства | 1375 |
| Лебедев Э.А., Гойхман М.Я., Жигунов Д.М., Подешво И.В., Кудрявцев В.В., Тимошенко В.Ю. Люминесценция и электропроводность полиамидокислоты и ее металл-полимерных комплексов с La и Tb | 1380 |
| Павликов А.В., Осминкина Л.А., Белогорохов И.А., Константинова Е.А., Ефимова А.И., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Роль исходного легирования в эффекте изменения концентрации носителей заряда в пористом кремнии при адсорбции молекул аммиака | 1385 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Анищенко Е.В., Кагадей В.А., Нефедцев Е.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В. Удаление фторполимерных загрязнений с поверхности кремниевых структур при обработке в потоке атомарного водорода | 1389 |
| Унтила Г.Г., Кост Т.Н., Чеботарева А.Б., Закс М.Б., Ситников А.М., Солодуха О.И. Новый тип высокоэффективных двусторонних кремниевых солнечных элементов с внешними шинами и проволочной контактной сеткой | 1393 |
| Nemcsics Akos Some Aspects to the RHEED Behaviour of LT-GaAs Growth | 1399 |
| Медведев А.В., Феоктистов Н.А., Певцов А.Б., Голубев В.Г. Усиление интенсивности спонтанного излучения эрбия вблизи края фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей на основе -Si : H/-SiO : H | 1403 |
| Юрий Васильевич Гуляев ( к 70-летию со дня рождения ) | 1408 |