"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Десорбция водорода с поверхности в условиях эпитаксиального наращивания слоев кремния из моносилана в вакууме
Орлов Л.К.1, Смыслова Т.Н.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

Впервые по экспериментальным данным, описывающим степень покрытия поверхности кремниевой пластины водородом непосредственно в процессе выращивания эпитаксиального слоя кремния из силана в вакууме, определен коэффициент десорбции водорода и энергия активации этого процесса. Проведено сопоставление данных величин с результатами других авторов, полученных в условиях низкотемпературного эксперимента, например, методом термодесорбционной спектрометрии. Найденные величины использованы для вычисления коэффициента кристаллизации и его зависимости от температуры роста и скорости распада моносилана на ростовой поверхности.
  • V.I. Talanin, I.E. Talanin, D.I. Levinson. Proc. 4th Int. Conf. Single crystal growth and heat \& mass transfer (Obninsk, Russia, 2001) v. 1, p. 205
  • G. Weirauch, A. Campargue, H. Burger, J. Mol. Spectrosc., 218 (2), 256 (2003)
  • M.C. McCarthy, P. Thaddeus. J. Mol. Spectrosc., 222 (2), 248 (2003)
  • M. Shinohara, T. Kuwano, Y. Kimura, M. Niwano. Thin Solid Films, 435, 13 (2003)
  • C.M. Greenlief, M. Lier. Appl. Phys. Lett., 64, 601 (1994)
  • K.J. Kim, M. Suemitsu, M. Yamanaka, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 62, 3461 (1993)
  • R.W. Price, E.S. Tok, J. Zhang. J. Cryst. Growth, 209, 306 (2000)
  • M.C. Flowers, N.B.H. Jonathan, Y. Liu, A. Morris. J. Chem. Phys., 102, 1034 (1995)
  • D.W. Greve. Mater. Sci. Eng. B, 18, 22 (1993)
  • A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Solid Films, 336, 191 (1999)
  • Л.К. Орлов, С.В. Ивин, А.В. Потапов, Т.Л. Ивина. ЖТФ, 71 (4), 53 (2001)
  • S.M. Gates, C.M. Greenlief, D.B. Beach. J. Chem. Phys., 93, 7493 (1990)
  • E.V. Thomsen, C. Christensen. Thin Solid Films, 294, 72 (1997)
  • K. Sakamoto, H. Matsuhata, K. Miki, T. Sakamoto. J. Cryst. Growth, 157, 295 (1995)
  • S.M. Gates, S.K. Kilkarni. Appl. Phys. Lett., 60, 53 (1992)
  • U. Hofer, L. Li, T.F. Heinz. Phys. Rev. B, 45, 9485 (1992)
  • K. Sinniah, M.G. Sherman, L.B. Lewis, W.H. Weinberg, J.T. Yates, jr., K.C. Janda. Phys. Rev. Lett., 62, 567 (1989); J. Chem. Phys., 92, 5700 (1990)
  • T.R. Bramblett, Q. Lu, T. Karasawa, M.A. Hasan, S.K. Jo, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 76, 1884 (1994)
  • A. Vittadini, A. Selloni. Phys. Rev. Lett., 75, 4756 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.