"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительность гетероструктур на мелкодисперсной фазе полупроводников
Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1, Ушакова Т.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

Предложен и создан новый тип гетероструктур, основанных на прямом контакте объемного полупроводника со слоем диэлектрика с рассредоточенной в нем мелкодисперсной фазой полупроводника. На гетероструктурах из Si и GaAs обнаружено выпрямление и фотовольтаический эффект. Показано, что при освещении таких структур со стороны слоя диэлектрика с мелкодисперсной фазой полупроводника возникает широкополосный фотовольтаический эффект в глубине фундаментального поглощения объемного полупроводника.
  • Zh.I. Alferov. Rev. Mod. Phys., 73, 767 (2001)
  • J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. 2000 IEEE LEOS Annual Meeting Conf. Proc. (November 13--14, 2000) 1, p. 304
  • N.A. Maleev, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasilev, E.S. Semenova, Yu.M. Shernyakov, E.V. Nikitina, N.V. Kryjanovskaya, D.S. Sirov, I.P. Soshnikov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. 10ht Int. Symp. " Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 17--21, 2002) p. 399
  • Л.В. Асрян, Р.А. Сурис. ФТП, 38, 3 (2004)
  • В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Х. Шпунт. ЖТФ, 70, 114 (2000)
  • Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  • Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
  • В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 245 (1997)
  • E.V. Astrova, A.A. Lebedev, A.D. Remenyuk, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. Thin Sol. Films, 297, 129 (1997)
  • A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
  • Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.