"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Динамика лазерно-индуцированных фазовых переходов в теллуриде кадмия
Ковалев А.А.1, Жвавый С.П.1, Зыков Г.Л.1
1Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 14 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

Проведено численное моделирование динамики фазовых переходов, инициируемых в CdTe наносекундным излучением рубинового лазера. Показано, что испарение атомов кадмия приводит к охлаждению поверхности, формируя немонотонный профиль температурного поля с максимальной температурой, находящейся в объеме полупроводника на расстоянии ~(10-30) нм от поверхности. Образовавшийся под поверхностью расплав при плотностях энергии излучения, превышающих пороговое значение, распространяется как к поверхности, так и в объем полупроводника. Кристаллизация происходит как с поверхности в глубь образца в результате роста зародышей в условиях сильного обеднения расплава атомами кадмия и интенсивного теплоотвода, так и по направлению к поверхности путем эпитаксиального роста от подложки.
  • R. Bell, M. Toulemonde, P. Sifferent. Appl. Phys., 19, 313 (1979)
  • Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. Поверхность. Физика, химия, механика, N 10, 65 (1995)
  • Y. Hatanaka, M. Niraula, Y. Aoki, T. Aoki, Y. Nakanishi. Appl. Surf. Sci., 142, 227 (1999)
  • V.A. Gnatyuk, T. Aoki, O.S. Gorodnychenko, Y. Hatanaka. Appl. Phys. Lett., 83, 3704 (2003)
  • И.Л. Шульпина, Н.К. Зеленина, О.А. Матвеев. ФТТ, 42, 548 (2000)
  • И.Ю. Висковатых, В.М. Лакеенков, П.К. Кашкаров, В.И. Петров, В.Ю. Тимошенко, Ф.И. Хилинский. Изв. РАН. Сер. физ., 57 (9), 12 (1993)
  • Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.М. Лакеенков, Ю.Н. Сосновских, В.Ю. Тимошенко, Н.Г. Чеченин. ФТТ, 40, 209 (1998)
  • L.A. Golovan, B.A. Markov, P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko. Sol. St. Commun., 108 (10), 707 (1998)
  • С.И. Анисимов, Я.А. Имас, Г.С. Романов, Ю.В. Ходыко. Действие излучения большой мощности на металлы (М., Наука, 1970)
  • С. Дэшман. Научные основы вакуумной техники (М., Мир, 1964)
  • А.А. Самарский, Б.Д. Моисеенко. ЖВМ и МФ, 5, 816 (1965)
  • В.М. Глазов, Л.М. Павлова. ЖФХ, 75, 1735 (2001)
  • K. Zanio. Semiconductors and Semimetals. V. 13: Cadmium Telluride (N.Y., Academic Press, 1978)
  • S. Adachi, T. Kimura. Jap. J. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
  • R. Fang, R.F. Brebrick. J. Phys. Chem. Sol., 57, 443 (1996)
  • А.С. Охотин, А.С. Пушкарский, В.В. Горбачев. Теплофизические свойства полупроводников (М., Атомиздат, 1972)
  • А.Р. Регель, В.М. Глазов. Физические свойства электронных расплавов (М., Наука, 1980)
  • V.V. Godlevsky, M. Jain, J.J. Derby, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. B, 60, 8640 (1999)
  • В.М. Склярчук, Ю.О. Плевачук, П.И. Фейчук, Л.П. Щербак. Неорг. матер., 38, 1314 (2002)
  • G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich, S.P. Zhvavyi, R. Cerny, P. Prikryl, V. Chab, O.E. Cibulka. Proc. 8th Int. Conf. Laser and Laser-Information Techologies: Fundamental Problems and Applications (Plovdiv, Bulgaria, 2003) p. 25
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.