"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Динамика лазерно-индуцированных фазовых переходов в теллуриде кадмия
Ковалев А.А.1, Жвавый С.П.1, Зыков Г.Л.1
1Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 14 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

Проведено численное моделирование динамики фазовых переходов, инициируемых в CdTe наносекундным излучением рубинового лазера. Показано, что испарение атомов кадмия приводит к охлаждению поверхности, формируя немонотонный профиль температурного поля с максимальной температурой, находящейся в объеме полупроводника на расстоянии ~(10-30) нм от поверхности. Образовавшийся под поверхностью расплав при плотностях энергии излучения, превышающих пороговое значение, распространяется как к поверхности, так и в объем полупроводника. Кристаллизация происходит как с поверхности в глубь образца в результате роста зародышей в условиях сильного обеднения расплава атомами кадмия и интенсивного теплоотвода, так и по направлению к поверхности путем эпитаксиального роста от подложки.
  1. R. Bell, M. Toulemonde, P. Sifferent. Appl. Phys., 19, 313 (1979)
  2. Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. Поверхность. Физика, химия, механика, N 10, 65 (1995)
  3. Y. Hatanaka, M. Niraula, Y. Aoki, T. Aoki, Y. Nakanishi. Appl. Surf. Sci., 142, 227 (1999)
  4. V.A. Gnatyuk, T. Aoki, O.S. Gorodnychenko, Y. Hatanaka. Appl. Phys. Lett., 83, 3704 (2003)
  5. И.Л. Шульпина, Н.К. Зеленина, О.А. Матвеев. ФТТ, 42, 548 (2000)
  6. И.Ю. Висковатых, В.М. Лакеенков, П.К. Кашкаров, В.И. Петров, В.Ю. Тимошенко, Ф.И. Хилинский. Изв. РАН. Сер. физ., 57 (9), 12 (1993)
  7. Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.М. Лакеенков, Ю.Н. Сосновских, В.Ю. Тимошенко, Н.Г. Чеченин. ФТТ, 40, 209 (1998)
  8. L.A. Golovan, B.A. Markov, P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko. Sol. St. Commun., 108 (10), 707 (1998)
  9. С.И. Анисимов, Я.А. Имас, Г.С. Романов, Ю.В. Ходыко. Действие излучения большой мощности на металлы (М., Наука, 1970)
  10. С. Дэшман. Научные основы вакуумной техники (М., Мир, 1964)
  11. А.А. Самарский, Б.Д. Моисеенко. ЖВМ и МФ, 5, 816 (1965)
  12. В.М. Глазов, Л.М. Павлова. ЖФХ, 75, 1735 (2001)
  13. K. Zanio. Semiconductors and Semimetals. V. 13: Cadmium Telluride (N.Y., Academic Press, 1978)
  14. S. Adachi, T. Kimura. Jap. J. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
  15. R. Fang, R.F. Brebrick. J. Phys. Chem. Sol., 57, 443 (1996)
  16. А.С. Охотин, А.С. Пушкарский, В.В. Горбачев. Теплофизические свойства полупроводников (М., Атомиздат, 1972)
  17. А.Р. Регель, В.М. Глазов. Физические свойства электронных расплавов (М., Наука, 1980)
  18. V.V. Godlevsky, M. Jain, J.J. Derby, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. B, 60, 8640 (1999)
  19. В.М. Склярчук, Ю.О. Плевачук, П.И. Фейчук, Л.П. Щербак. Неорг. матер., 38, 1314 (2002)
  20. G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich, S.P. Zhvavyi, R. Cerny, P. Prikryl, V. Chab, O.E. Cibulka. Proc. 8th Int. Conf. Laser and Laser-Information Techologies: Fundamental Problems and Applications (Plovdiv, Bulgaria, 2003) p. 25

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.