"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Удаление фторполимерных загрязнений с поверхности кремниевых структур при обработке в потоке атомарного водорода
Анищенко Е.В.1, Кагадей В.А.1, Нефёдцев Е.В.2, Проскуровский Д.И.2, Романенко С.В.2
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 4 января 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

Исследована возможность эффективного удаления фторполимерных загрязнений с поверхности Si-структур с помощью обработки в потоке атомарного водорода. Установлено, что обработка образцов в направленном потоке атомарного водорода с плотностью 2·1015 ат. см-2с-1 при температуре 20-100oC приводит к уменьшению концентрации фторуглеродных загрязнений и, в частности, CF на 5 порядков величины. Удаление фторуглеродных загрязнений осуществляется как с планарной поверхности Si-структур, так и с боковых стенок и со дна контактных отверстий диаметром от 0.3-0.25 мкм и глубиной 0.9 мкм, вскрытых с помощью реактивно-ионного травления в слое SiO2. Время обработки 2 мин достаточно для полного удаления фторполимерных загрязнений. Данный процесс "сухой" очистки может быть рекомендован для применения в технологии изготовления микросхем с межслоевым диэлектриком с низкой диэлектрической проницаемостью.
  • N.H. Hendricks. Sol. St. Technol., 3, 31 (2003)
  • M. Uhlig, A. Bertz, M. Rennau, S.E. Schulz, T. Werner, T. Gessner. Microelectronic Engin., 50, 7 (2000).
  • P.T. Liu. T.C. Chang, S.M. Sze, F.M. Pan, Y.J. Mei, W.F. Wu, M.S. Tsai, B.T. Dai, C.Y. Chang, F.Y. Shih, H.D. Huang. Thin Sol. Films, 332, 345 (1998)
  • J.R. Hu, W. Uesato, P. Schoenborn. Proc. AVS First Int. Conf. on Microelectronics and Interfaces (http://www.ulvac.com/pdf/lsilowk.pdf) February 2000
  • L. Peters. Semicond. International, 25 (12), 57 (2002)
  • M. Delfino, S. Salimian, D. Hodul. J. Appl. Phys., 70 (3), 1712 (1991)
  • A.E. Braun. Semicond. International, 22 (11), 44 (1999)
  • D.J. Mount, L.B. Rothman, R.J. Robey, M.K. Ali. Sol. St. Technol., 6, 103 (2002)
  • Seung-Hyun Lim, Jin-Won Park, Hwan-Kuk Yuh, Euijoon Yoon, Sang In Lee. J. Korean Phys. Soc., 33 (11), S108 (1998)
  • V.A. Kagadei, D.I. Proskurovski. J. Vac. Sci. Technol. A, 16 (4), 2556 (1998)
  • E. Arnold, M.I. Lomaev, V.S. Skakun, V.F. Tarasenko, A.N. Tkachev, D.V. Shitts, S.I. Yakovlenko. Laser Phys., 12 (5), 1 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.