Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой температуре и периодически delta-легированных сурьмой и фосфором
Чалдышев В.В.1, Яговкина М.А.1, Байдакова М.В.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
![Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia](/images/e16.png)
Поступила в редакцию: 25 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
Рентгеновская дифрактометрия высокого разрешения использована для исследования структур арсенида галлия, выращенных при низкой температуре (LT-GaAs) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Особенностью исследованных структур является наличие тонких (около 1 монослоя) delta-слоев изовалентных примесей сурьмы и фосфора, сформированных при низкой температуре эпитаксии. Периодически расположенные в объеме эпитаксиальной пленки delta-слои создают картину рентгеновской дифракции, содержащую большое число интерференционных пиков, количественный анализ которой позволяет извлечь информацию о толщине, химическом составе и резкости границ слоев. Такой анализ был проведен до и после отжига исследованных образцов, вызывающего формирование в объеме эпитаксиальной пленки системы нановключений (квантовых точек) As. Выявлены изменения параметров дифракционных кривых, характеризующие процесс формирования квантовых точек As. Установлено, что формирование системы квантовых точек As в LT-GaAs (delta-Sb) вызывает усиленное затухание сверxрешеточных пиков-сателлитов, что, вероятно, связано с увеличением шероховатости и диффузионным размытием delta-слоев Sb. Подобного явления не наблюдается в LT-GaAs (delta-P), что, скорее всего, обусловлено отсутствием гетерогенной преципитации As на delta-слоях фосфора и меньшими эффективными коэффициентами диффузионного перемешивания As-P по сравнению с As-Sb. Для образцов с комбинированной системой delta-слоев Sb и P дифракционные кривые количественно подтвердили создание сверхрешеток, содержащих систему квантовых точек As, в которых рассогласование относительно подложки GaAs по среднему параметру решетки составляет менее 0.0001%. PACS: 61.10.Nz, 81.07.Bc, 81.15.Hi, 81.40.Ef
- S. Gupta, M.Y. Frankel, J.A. Valdmanis, J.F. Wittaker, G.A. Mouron, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 59, 3276 (1991)
- T.R. Weatherford, D. McMorrow, A.B. Campbell, W.R. Curtice. Appl. Phys. Lett., 67, 703 (1995)
- В.В. Чалдышев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, О.П. Пчеляков, А.В. Хан, В.Г. Канаев, Л.С. Широкова, А.В. Голиков, В.А. Кагадей, Ю.В. Лиленко, Н.В. Карпович. Электронная промышленность, вып. 1-2, 154 (1998)
- Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, В.В. Преображенский, В.В. Чалдышев. Изв. вузов. Физика, 45 (8), 3 (2002)
- Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, В.В. Преображенский, В.В. Чалдышев. В кн: Нанотехнологии в полупроводниковой электронике, под ред. А.Л. Асеева (Изд-во СО РАН, Новосибирск, 2004)
- Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
- V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Engin. B, 88 (2-3), 85 (2002)
- N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, A.E. Kunitsyn, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tretyakov. Semicond. Sci. Technol., 12, 51 (1997)
- T.M. Cheng, C.V. Chang, A. Chin, M.F. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
- Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995)
- В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, Е.А. Куницын, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, P. Werner. ФТП, 32, 1161 (1998)
- V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, N.A. Bert, Y.G. Musikhin, A.E. Kunitsyn, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. J. Cryst. Growth, 202, 260 (1999)
- V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Mater. Sci. Eng. A-Struct. Mater. Prop. Microstruct. Process., 238, 148 (1997)
- N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1588 (1999)
- V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 80, 377 (2002)
- V.V. Chaldyshev, A.L. Kolesnikova, N.A. Bert, A.E. Romanov. J. Appl. Phys., 97, 024 309 (2005)
- А.В. Бойцов, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев, М.А. Яговкина, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 40, 778 (2006)
- I. Lahiri, D.D. Nolte, J.C.P. Chang, J.M. Woodall, M.R. Melloch. Appl. Phys. Lett., 67, 1244 (1995)
- N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, Y.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1442 (1999)
- V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, Y.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 79, 1294 (2001)
- W. Xia, L.S. Yu, Z.F. Guan, S.A. Pappert, P.K.L. Yu, S.S. Lau, S.A. Shwarz, M.A.A. Pudensi, L.T. Florez, J.P. Harbison. Appl. Phys. Lett., 61, 1269 (1992)
- Н.Н. Фалеев, В.В. Чалдышев, А.Е. Куницын, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков. ФТП, 32, 24 (1998)
- D.A. Vasyukov, M.V. Baidakova, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. J. Phys. D: Appl. Phys., 34 (10A), A15 (2001)
- В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36, 897 (2002)
- G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981)
- X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukievich. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
- А.В. Бойцов, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43, 278 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.