Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Свойства контактов GaN(SiC)-(Ti,Zr)B_x, подвергнутых быстрым термоотжигам

Беляев А.Е.¹, Болтовец Н.С.², Иванов В.Н.², Конакова Р.В.¹, Кладько В.П.¹, Кудрик Я.Я.¹, Лебедев А.А.³, Миленин В.В.¹, Шеремет В.Н.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 13 января 2009 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

PDF версия

Исследовано влияние быстрой термической обработки на структурные и электрофизические свойства контактов Au-(Ti,Zr)B_x-GaN(SiC) и диодных структур на их основе. Рентгенодифракционные исследования и послойный оже-анализ показали, что фазовый состав и структура контактов к GaN и SiC сохраняются до температуры 900 и 1000^oC соответственно. Стабильность межфазных границ подтверждается практически неизменными электрофизическими свойствами контактов до и после быстрых термообработок. Высота барьера Шоттки varphi_b для контактов к GaN составляет 0.89-0.9 эВ и к SiC - 0.79-0.83 эВ; фактор идеальности вольт-амперной характеристики для контактов Au-TiB_x(ZrB_x)-n-GaN(SiC) составляет n=1.2, а для Au-ZrB_x-n-n⁺-4HSiC n~ 1.12. Структурные исследования указывают на наличие стеклообразующих окислов бора и металлов на межфазной границе раздела, которые образуют тонкий аморфный стекловидный слой, устойчивый к быстрым термическим отжигам, и являются диффузионным барьером для межфазного переноса. PACS: 73.40.Ns, 73.30+y, 85.30Kk, 81.05.Hd, 81.40.Ef, 81.40.Rs, 81.05.Rm

H. Morkoc. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices (N.Y., Wiley--VCH, 2008) v. 2
Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41(11), 1281 (2007)
Q.Z. Lin, S.S. Lan. Sol. St. Electron., 42 (5), 677 (1998)
L.M. Porter, R.T. Davis. Mater. Sci. Eng. B, 34 (1--2), 83 (1995)
C. Jacob, P. Pirouz, H.I. Kuo, M. Mehregang. Sol. St. Electron., 42 (12), 2329 (1998)
E.V. Kalinina, H.I. Kuznetsov, A.I. Babanin, V.A. Dmitriev, A.V. Shchukarev. Diamond Relat. Mater., 6 (10), 1528 (1997)
Suparno Pal, Takashi Sugino. Appl. Surf. Sci., 161 (1), 263 (2000)
В.С. Балландович, В.В. Лучинин, А.А. Петров, Ю.Н. Торгашов. Петербургский журн. электроники, N 2, 47 (1994)
Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, О.С. Литвин, П.М. Литвин, В.В. Миленин. ФТП, 38 (7), 769 (2004) [N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, O.S. Litvin, P.M. Litvin, V.V. Milenin. Semicond., 38(7), 737 (2004)]
Г.В. Самсонов, Я.С. Уманский. Твердые соединения тугоплавких металлов (М., Гос. научн.-техн. изд-во лит. по черной и цветной металлургии, 1957)
Г.В. Самсонов, И.М. Винницкий. Тугоплавкие соединения. Справочник (М., Металлургия, 1976)
Р.А. Андриевский, Н.Н. Спивак. Прочность тугоплавких соединений и материалов на их основе Справочник (Челябинск, Металлургия, 1989)
N.S. Boltovets, V.V. Basanets, V.N. Ivanov, V.A. Krivutsa, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, V.G. Lyapin, V.v. Milenin, E.A. Soloviev, E.F. Venger, D.I. Voitsikhovskyi, V.V. Kholevchuk, V.F. Mitin. SPQE, 3 (3), 359 (2000)
Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, А.Е. Беляев и др. ФТП, 40 (6), 753 (2006) [N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, A.E. Belyaev et al. Semicond., 40 (6), 734 (2006)]
О.А. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, В.А. Пилипенко. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС (Харьков, НТК Ин-т монокристаллов, 2008)
R. Khanna. A dissertation for the degree of doctor of philosophy (Florida, University of Florida, 2007)
A. Hiraki. Surf. Sci., 168 (1--3), 74 (1986)
T.N. Oder, P. Martin, J.Y. Lin, H.X. Siang, S.R. Williams, T. Isaacs-Smith. Appl. Phys. Lett., 88, 183 505 (2006)
T.N. Oder, P. Martin, A.V. Adedejl, T. Isaacs-Smith, J.R. Williams. J. Electron. Mater., 36 (7), 805 (2007)
И.Б. Ермолович, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.И. Сенкевич. Письма ЖТФ, 25 (19), 71 (1999)
В.В. Миленин, Р.В. Конакова. Письма ЖТФ, 27 (14), 30 (2001)
В.И. Нефедов. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. Справочник (М., Химия, 1984)
И.Н. Францевич, Р.Ф. Войтович, В.А. Лавренко. Высокотемпературное окисление металлов и сплавов (Киев, Гос. изд-во техн. лит. УССР, 1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель