Исследовано влияние конструкции и масштабирования микросветодиодов на основе InGaN/GaN квантово-размерных гетероструктур с длиной волны излучения 460 нм на электролюминесцентные характеристики. Были изучены микросветодиоды с диаметром мезаструктуры в диапазоне 5-100 мкм в двух вариантах конструкций: с " чистой" круглой мезаструктурой и мезаструктурой, плотно заполненной наностолбиками диаметром 800 нм. Показано, что заметное влияние поверхностных эффектов: токовых утечек и безызлучательной рекомбинации возникает при диаметрах мезы менее 30 мкм. Несмотря на это, меньшие по размеру микросветодиоды обеспечивают более высокую плотность оптической мощности - светимость. С привлечением ABC-модели проанализированы зависимости внешнего квантового выхода от плотности тока с оценкой механизмов рекомбинации для различных размеров и конструкций. Выяснена перспективность конструкции с мезой, плотно заполненной наностолбиками диаметром 800 нм и залитой стеклом. Такой конструктивный вариант позволяет уменьшить потери носителей заряда на поверхностную рекомбинацию благодаря снижению механических напряжений на границе диэлектрик-полупроводник. Ключевые слова: микросветодиод, InGaN/GaN квантово-размерные гетероструктуры, наностолбики, коэффициент идеальности, мощность излучения, квантовый выход, ABC-модель, поверхностная рекомбинация.