Изучалась температурная зависимость протекания тока и электролюминесценции в p-i-n-гетероструктурах с прямозонными и непрямозонными (In,Al)As-квантовыми точками первого рода, встроенными в широкозонный нелегированный слой Al_0.27Ga_0.73As и AlAs соответственно. Обнаружено, что прямозонная структура демонстрирует электролюминесценцию из квантовых точек в диапазоне температур от 300 до 4 K, в то время как интенсивность электролюминесценции из квантовых точек в непрямозоной структуре монотонно уменьшается с падением температуры и полностью исчезает при T<100 K, замещаясь излучением из контактных слоев. Обсуждаются причины подавления электролюминесценции непрямозонных квантовых точек при низких температурах. Ключевые слова: электролюминесценция, p-i-n-гетероструктура, квантовые точки.