Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнительный анализ излучательных характеристик Al-содержащих и безалюминиевых квантово-размерных гетероструктур спектрального диапазона 780-850 нм
1Научно-исследовательский институт " Полюс" им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия
2Российский университет дружбы народов им. Патриса Лумумбы, Москва, Россия
3Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московск. обл., Россия
4Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Российский университет дружбы народов им. Патриса Лумумбы, Москва, Россия
3Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московск. обл., Россия
4Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: nikita.gultickov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 26 августа 2026 г.
Принята к печати: 16 сентября 2026 г.
Выставление онлайн: 26 октября 2026 г.
Проведено сравнение излучательных характеристик квантово-размерных гетероструктур диапазона 780-850 нм на основе Al-содержащей и безалюминиевой систем материалов. Результаты показывают значительное преимущество безалюминиевых гетероструктур по интенсивности фотолюминесценции (в 10-30 раз), несмотря на более широкий спектр фотолюминесценции. Также у безалюминиевых гетероструктур наблюдается существенно (больше чем в 2-5 раз) более длительное время жизни носителей заряда. Проанализированы возможные причины данных различий, а также их влияние на выходные характеристики полупроводниковых излучателей. Ключевые слова: квантовые ямы, Al-содержащая и безалюминиевая системы материалов, фотолюминесценция.
- S. Saeed, M. Usman, S. Ali, H. Ali, L. Mustafa. Optical Mater., 139, 113809 (2023). DOI: 10.1016/j.optmat.2023.113809
- E.A. Avrutin, B.S. Ryvkin, J.T. Kostamovaara. IET Optoelectronics, 15, 194 (2021). DOI: 10.1049/ote2.12033
- M. Krakowski, M. Lecomte, N. Michel, M. Calligaro, M. Carbonnelle, M. Tran, M. Lamponi, C. Cayron, V. Ligeret, J.B. Lobe, R. Mostallino, et al. Proc. SPIE, 9370, 93702C (2015). DOI: 10.1117/12.2084696
- Z. Xu, H. Dong, J.Z. Gang, Z.A. Qin, L. Jian, W.Z. Yong, X.B. She. Optics Lett., 47, 1153 (2022). DOI: 10.1364/OL.451551
- A. Knauer, H. Wenzel, G. Erbert, B. Sumpf, M. Weyers. J. Electron. Mater., 30, 1421 (2001). DOI: 10.1007/s11664-001-0195-8
- N. Chand, S.N.G. Chu, N.K. Dutta, J. Lopata, M. Geva, A.V. Syrbu, A.Z. Mereutza, V.P. Yakovlev. IEEE J. Quant. Electron., 30, 424 (1994). DOI: 10.1109/3.283790
- M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (eds). Handbook Series on Semiconductor Parameters. Vol. 2: Ternary and Quaternary III-V Compounds (World Scientific, Singapore-N. J., 1999)
- Н.В. Гультиков, К.Ю. Телегин, А.Ю. Андреев, Л.И. Шестак, В.А. Панарин, М.Ю. Старынин, А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин. Квант. электрон., 53, 667 (2023)
- P.G. Eliseev. Progr. Quant. Electron., 20, 1 (1996). DOI: 10.1016/0079-6727(95)00002-X
- L. Fan, C. Cao, G. Thaler, D. Nonnemacher, F. Lapinski, I. Ai, B. Caliva, S. Das, R. Walker, L. Zeng, M. McElhinney, P. Thiagarajan. Proc. SPIE, 7918, 791805 (2011)
- М.А. Ладугин, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, Ю.Л. Рябоштан, Т.А. Багаев, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, М.Г. Васильев. Неорг. матер., 55, 345 (2019). DOI: 10.1134/S0002337X19040092
- M. Levy, Y. Berk, Y. Karni. Proc. SPIE, 6104, 61040B (2006). DOI: 10.1117/12.645815
