Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Емкостная спектроскопия многослойных структур GaN/InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет " ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет " ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: oleg.mikhaylov.00@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 14 июля 2026 г.
Принята к печати: 14 июля 2026 г.
Выставление онлайн: 26 октября 2026 г.
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследованы электрофизические свойства периодических многослойных структур на основе GaN/InP, выращенных в виде цифрового твердого раствора и короткопериодной сверхрешетки, на монокристаллических подложках Si. Слои GaN и InP осаждались методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения, в котором рост GaN происходил без использования водородсодержащей плазмы. Показано, что GaN/InP-сверхрешетки обладают существенно более высокой плотностью поверхностных состояний на границах раздела по сравнению со структурами, выполненными в виде цифрового твердого раствора. Ключевые слова: нитрид галия, фосфид индия, нитрид индия, нестационарная спектроскопия глубоких уровней.
- R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoon, R.A. Sherif, Sherif, N.H. Karam. Appl. Phys. Lett., 90 (18), 183516 (2007). https://doi.org/10.1063/1.2734507
- Y. Zou, C. Zhang, C. Honsberg, D. Vasileska, R. King, S. Goodnick. IEEE Proc. 7th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (WCPES-7), June 10-15, Waikoloa, Hawaii, 0279-0282 (2018)
- G. Dushaq, A. Siddiqui, K. Jumaa, A. Nayfeh, M. Rasras. IEEE Proc. 7th World Conf. Photovolt. Energy Conversion, WCPEC 2018: A Joint Conf. of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC \& 34th EU PVSEC, Waikoloa Village, HI, USA, 3857-3860 (2018)
- J. Zeitouny, E.A. Katz, A. Dollet, A. Vossier. Sci. Rep., 7 (1), 1766 (2017)
- T. Orzali, A. Vert, B. O'Brien, J.L. Herman, S. Vivekanand, R.J.W. Hill, Z. Karim, S.S. Papa Rao. J. Appl. Phys., 118 (10), 105307 (2015). DOI: 10.1063/1.4930594
- O.P. Mikhaylov, A.I. Baranov, V.A. Pozdeev, A.V. Uvarov, A.A. Maksimova, E.A. Vyacheslavova, A.S. Gudovskikh. St. Petersburg State Polytech. Univ. J.: Phys. and Math., 18 (3.1), 258 (2025). DOI: https://doi.org/10.18721/JPM.183.151
- A. Gudovskikh, A. Uvarov, A. Baranov, V. Pozdeev, A. Maksimova, E. Vyacheslavova, O. Mikhaylov, E. Yarchuk, D. Kirilenko, V. Fedorov, M. Drozdov, P. Yunin. Sci. Technol. A, 44 (2), 023007 (2026). https://doi.org/10.1116/6.0005036
