Сопоставлены структурные и люминесцентные характеристики эпитаксиальных пленок InGaN с содержанием индия ~30-40 %, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что высокотемпературный рост при T_g~600 ^oC обеспечивает наилучшие показатели морфологии и структурной однородности - гладкую поверхность и минимальный уровень фазовой сепарации тройного раствора InGaN, что определяет потенциал применения подобных слоев как барьеров в новом поколении гетероструктур вида In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN. Уменьшение же температуры эпитаксии до T_g~580 ^oC позволяет, за счет лучшего встраивания индия, получать заметно более узкозонные слои InGaN, интересные как непосредственно материал квантовых ям в подобных структурах. Здесь приходится отметить, что все исследованные образцы InGaN, независимо от T_g, остаются весьма дефектными, с плотностью дислокаций на уровне N_D~10¹¹ см^-2, и это задает высокие скорости безызлучательной рекомбинации: ~5·10⁹ с^-1 при T=77 K и >5·10¹⁰ с^-1 при T=300 K. Основную роль в безызлучательных процессах, предположительно, играют дислокации несоответствия, а наблюдаемая в эксперименте кинетика люминесцентного отклика изучаемых слоев InGaN хорошо описывается в модели диффузионно-ограниченной рекомбинации на таких дефектах. Таким образом, реализация эффективных длинноволновых III-нитридных излучателей посредством перехода от " классических" гетероструктур GaN/In_yGa_1-yN к структурам вида In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN со сравнительно узкозонными барьерами безусловно требует адаптации имеющихся либо разработки новых технологических подходов к " фильтрации" прорастающих дислокаций в пределах возможно меньших, технологически приемлемых ростовых толщин. Ключевые слова: нитрид индия и галлия, молекулярно-пучковая эпитаксия, спинодальный распад, фотолюминесценция.