Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование вхождения атомов V группы в арсенид-фосфидные твердые растворы, выращенные методом газофазной эпитаксии при использовании (CH3)3As в качестве источника мышьяка
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 22-19-00158
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: gawrilowk@yandex.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 2 июля 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 23 декабря 2024 г.
Рассмотрена перспектива применения триметиларсина в качестве альтернативного источника атомов мышьяка в металлорганической газофазной эпитаксии арсенид-фосфидных твердых растворов. На примере InAsyP1-y показано, что при использовании триметиларсина концентрация мышьяка в твердой фазе испытывает меньшее влияние флуктуаций параметров роста (состава газовой смеси), чем при использовании стандартного источника мышьяка - арсина. Ключевые слова: МОГФЭ, триметиларсин, TMAs, твердые растворы, эпитаксия.
- M.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, A. Luque. IEEE J. Photovolt., 5, 1229 (2015)
- S.R. Kurtz, D. Myers, J.M. Olson. Proc. 26th IEEE Photovolt. Spec. Conf., 875 (1997)
- A. Gonzalo, L. Stanojevic, D. Fuertes Marron, A. Guzman, A. Hierro, J.M. Ulloa. Solar Energy, 221, 307 (2021)
- I. Garcia, M. Ochoa, I. Lombardero, L. Cifuentes, M. Hinojosa, P. Cano, I. Rey-Stolle, C. Algora, A. Johnson, I. Davies, K.H. Tan, W.K. Loke, S. Wicaksono, S.F. Yoon. Progr. Photovolt. Res. Appl., 25 (11), 887 (2017)
- В.М. Андреев. Соврем. электроника, N 6, 20 (2014)
- Р.Х. Акчурин, А.А. Мармалюк. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники (М., Техносфера, 2020)
- L. Samuelson, P. Omling, H.G. Grimmeiss. J. Cryst. Growth, 61, 425 (1983)
- M. Razeghi. The MOCVD Challenge Volume 1: A Survey of GaInAsP-InP for Photonic and Electronic Applications (Techno House, 1989)
- G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice. 2nd еd. (Academic Press, 1999) 572 p
- R.M. Lum, J.K. Klingert, D.W. Kisker, S.M. Abys, F.A. Stevie. J. Cryst. Growth, 89, 137 (1988)
- M.A. Malik, M. Afzaal P. O'Brien. Chem. Rev., 110, 4417 (2010)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. App. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
- M. Weyers, K. Shiraishi. Jpn. J. Appl. Phys., 31, 2483 (1992)
- H. Ito, T. Ishibashi. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L944 (1991)
- R.M. Lum, J.K. Klingert. J. Cryst. Growth, 107, 290 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
