Вышедшие номера
Инфракрасное фотоотражение эпитаксиальных пленок Cd0.3Hg0.7Te
Ружевич М.С.1, Мынбаев К.Д.1,2, Фирсов Д.Д.3, Чуманов И.В.3, Комков О.С.3, Варавин В.С.4, Якушев М.В.4
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: max.ruzhevich@niuitmo.ru, karim.mynbaev@niuitmo.ru, d.d.firsov@gmail.com
Поступила в редакцию: 2 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 5 сентября 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 23 декабря 2024 г.

Представлены результаты исследования фотоотражения пленок Cd0.3Hg0.7Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведено сопоставление результатов измерения фотоотражения с данными исследования фотолюминесценции и оптического пропускания пленок после роста и после различных видов отжига. Для пленок после отжига обнаружено улучшение качества, выражающееся в уменьшении полуширины пика фотоотражения. Ключевые слова: твердые растворы, CdHgTe, фотоотражение.