"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект аккумулирования избыточных атомов Ni в кристаллической структуре интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn
Ромака В.А.1,2, Rogl P.3, Ромака В.В.2, Стаднык Ю.В.4, Hlil E.K.5, Крайовский В.Я.2, Горынь А.М.4
1Институт прикладных механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Львовский национальный университет им. И. Франко, Львов, Украина
5Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
Поступила в редакцию: 3 сентября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июня 2013 г.

Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированнного примесью Ni. Обнаружен эффект аккумулирования избыточного количества атомов Ni1+x в тетраэдрических пустотах кристаллической структуры полупроводника, а также установлена донорная природа такого структурного дефекта, изменяющего свойства полупроводника. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.
  • T.M. Tritt, M.A. Sabramanian. MRS Bulletin, 31(3), 188 (2006)
  • В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
  • Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык. Физика низких температур, 12 (5), 498 (1987)
  • C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. B, 59 (13), 8615 (1999)
  • P. Larson, S.D. Mahanti, M.G. Kanatzidis. Phys. Rev. B, 62 (19), 12 754 (2000)
  • Y. Kawaharada, K. Kurosaki, H. Muta, M. Uno, S. Yamanaka. J. Alloys Comp., 381, 9 (2004)
  • S.R. Culp, S.J. Poon, N. Hickman, T.M. Tritt, J. Blumm. Appl. Phys. Lett., 88 (16) 042106-1 (2006)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • В.А. Ромака, D. Fruchart, E.K. Hlil, Р.Е. Гладышевский, D. Gignoux, В.В. Ромака, Б.С. Кужель, Р.В. Крайовский. ФТП, 44 (3), 310 (2010)
  • R. Ferro, A. Saccone. Intermetallic Chemistry (Amsterdam, Elsevier, 2008)
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  • L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. 12 th Eur. Crystallographic Meeting. Collected Abstract (М., Nauka, 1989) p. 155
  • В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, D. Fruchart, Ю.К. Гореленко, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь. ФТП, 41 (9), 1059 (2007)
  • H. Overhof, W. Beyer. Phil. Mag. B, 43 (3), 433 (1981)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.