"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Новые акцепторные центры фоновых примесей в p-CdZnTe
Пляцко С.В.1, Рашковецкий Л.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июня 2013 г.

Низкотемпературная фотолюминесценция была использована для исследования перераспределения фоновых примесей и основных компонентов монокристаллов CdZnTe p-типа проводимости с удельным сопротивлением 1-50 Ом·см при взаимодействии с лазерным инфракрасным излучением. Установлен эффект увеличения ширины запрещенной зоны и образования новых акцепторных центров в результате лазерно-стимулированных изменений в системе собственных дефектов. Найдена энергия активации новых акцепторных уровней.
  • А.В. Савицкий, О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, А.И. Савчук, С.Н. Чупыра. ФТП, 38 (5), 516 (2004)
  • H.R. Vydyanath, J. Elsworth, J.J. Kennedy, B. Dean, C.J. Johnson, G.T. Neugehauer, J. Sepich, P.C. Liao. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1476 (1992)
  • Yu.S. Gromovoj, F.F. Sizov, S.V. Plyatsko, S.D. Darchuk. J. Phys.: Condens. Matter, 1, 6625 (1989)
  • С.В. Пляцко. ФТП, 36 (6), 666 (2002)
  • С.В. Пляцко, Л.В. Рашковецкий. ФТП, 40 (3), 287 (2006)
  • T.E. Schlesinger, J.E. Toney, H. Yoon, E.Y. Lee, B.A. Brunet, I. Franks, R.B. James. Mater. Sci. Eng., 32, 103 (2001)
  • E. Molva, J.R. Chamonal, J.I. Pautrat. Phys. Status Solidi B, 109, 635 (1982)
  • X. Mathew. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 76, 225 (2003)
  • D.P. Halliday, M.D.G. Potter, J.T. Mullins, A.W. Brinkman. J. Cryst. Growth, 220, 30 (2000)
  • S. Seto, K. Suzuki, V.N. Abastillas, jr., K. Inabe. J. Cryst. Growth, 214/215, 974 (2000)
  • D.M. Hofmann, W. Stadler, K. Oettinger, B.K. Meyer, P. Omling, M. Salk, K.W. Benz, E. Weigel, G. Muller-Vogt. Mater. Sci. Eng. B, 16, 128 (1993)
  • H.Y. Shin, C.Y. Sun. J. Cryst. Growth, 186, 354 (1998)
  • S.H. Song, J. Wang, Y. Ishikawa, S. Seto, M. Isshiki. J. Cryst. Growth, 237--239, 1726 (2002)
  • T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulehner. Phys. Rev. B, 45, 8989 (1992)
  • К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 37 (2), 159 (2003)
  • K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, A.V. Prokhorovich, O.N. Strilchuk. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 8 (3), 39 (2005)
  • J. Franc, P. Hlidek, P. Moravec, E. Belas, P. Hoschl, L. Turjanska, R. Varghova. Semicond. Sci. Technol., 15, 561 (2000)
  • Y. Zidon, J. Yang, Y. Shapira. Apрl. Phys. Lett., 81, 436 (2002)
  • J.R. Haynes. Phys. Rev. Lett., 4, 361 (1960)
  • G. Nimtz. In: Intrinsic properties of Group IV Elements and III--V, II--VI and I--VII Compounds, ed. by O. Madelung, M. Schulz, H. Weiss. [ Landolt--Bornstein, New Series, Group III, v. 22, pt. a (Springer, Berlin, 1982)] p. 225
  • D.M. Hofman, P. Omling, H.G. Grimmeiss, B.K. Meyer, K.W. Benz, D. Sinerius. Phys. Rev. B, 45, 6247 (1992)
  • Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 5, 862 (1971)
  • P. Fernandez. J. Optoelectr. Adv. Mater., 5, 369 (2003)
  • R.B. James, T.E. Schlesinger, J. Lund, M. Schieber. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by T.E. Schlesinger, R.B. James (Academic Press, Inc., 1995) v. 43
  • J.E. Toney, B.A. Brunett, T.E. Schlesinger, J.M. Van Scyoc, R.B. James, M. Schieber, M. Goorsky, H. Yoon, E. Eissler, C.J. Johnson. Nucl. Instr. Meth. A, 380, 132 (1996)
  • А.Э. Юнович. В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках (М., Наука, 1972) с. 224
  • T.A. Kuhn, W. Ossau, A. Waag, R.N. Bicknell-Tassius, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 117, 660 (1992)
  • А.В. Квит, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, В.С. Багаев, А. Пересторонин, А.Ф. Плотников. ФТП, 34, 19 (2000)
  • J. Shen, D.K. Aidun, L. Regel, W.R. Wilcox. J. Cryst. Growth, 132, 250 (1993)
  • J.R. Heffelfinger, D.L. Medlin, R.B. James. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 487, 33 (1998)
  • K.R. Zanio. In: Semiconductors and Semimetals (N.Y.--San Francisco--London, Academic Press, 1978) v. 13, p. 235
  • H.G. Brion, C. Mewes, I. Hahn, U. Schaufele. J. Cryst. Growth, 134, 281 (1993)
  • P. Feychuk, O. Kopyl, I. Pavlovich, L. Shcherbak. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 8 (1), 110 (2005)
  • P.J. Sellin, A.W. Davies, F. Boroumand, A. Lohstroh, M.E. Ozsan, J. Parkin, M. Veale. ФТП, 41 (4), 411 (2007)
  • P. Rudolph. Cryst. Res. Technol., 38, 542 (2003)
  • F. Bissoli, J.L. Weyher, A. Zappettini, M. Zha, L. Zanotti. Cryst. Res. Technol., 40, 1060 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.