Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поглощение и фотолюминесценция тройных наноструктурированных стеклообразных полупроводниковых систем Ge-S-Ga(In)

Бабаев А.А.¹, Кудоярова В.Х.²

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 13 августа 2012 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры фотолюминесценции, спектры возбуждения люминесценции, краевое, инфракрасное поглощение, поглощение стеклообразных полупроводниковых систем Ge-S-Ga(In). Наблюдаемые сдвиги края оптического поглощения, спектра фотолюминесценции (уменьшение полуширины спектра) и спектры возбуждения люминесценции в область меньших энергий при введении Ga или In в бинарные системы Ge-S связаны с тем, что Ga или In имеют тенденцию взаимодействовать скорее с серой, чем с германием. С ростом содержания Ga(In) в системе полоса поглощения, ответственная за колебания связи Ge-S, уменьшается.

S.B. Gurevich, N.N. Ilyashenko, B.T. Kolomits, V.M. Lyubin, V.P. Shilo. Phys. Status Solidi A, 26, 127 (1974)
В.М. Любин. Тр. VI Междунар. конф. по аморфным и жидким полупроводникам, под ред. Б.Т. Коломийца (Л., Наука. Ленингр. отд-ние, 1976) с. 415
Z.G. Ivanova, Е. Vateva. Thin Sol. Films, 120, 75 (1984)
Z. Buchova, Mladenova, Z.G. Ivanova. J. Non-Cryst. Sol., 30, 147 (1978)
V.Ch. Kudoyarova, Z.G. Ivanova. Thin Sol. Films, 196, 171 (1991)
В.Х. Кудоярова, З.Г. Иванова. Матер. Междунар. конф. Некристаллические полупроводники 89 " (Ужгород, 1989) т. 2, с. 116
А.А. Бабаев, В.Х. Кудоярова. Тез. докл. Всес. конф. Тройные полупроводники " (Кишинев, 1989) с. 48

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель