"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поглощение и фотоионизация донорного уровня в полупроводниковых кристаллах CdF2
Казанский С.А.1, Щеулин А.С.1, Ангервакс А.Е.1, Рыскин А.И.1
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Для объяснения особенностей инфракрасного поглощения и фотоионизации в полупроводниковых кристаллах CdF2 предложена модель сильного вибронного взаимодействия, учитывающая поляронный характер проводимости в этих кристаллах и сильный конфигурационный сдвиг свободного и связанного состояний полярона. Показано, что интенсивная инфракрасная полоса поглощения в этих кристаллах не связана с переходом носителя с водородоподобного донорного уровня в зону проводимости, а обусловлена фононными репликами внутрицентровых переходов. Низкотемпературная, в диапазоне 0--70 K, фотопроводимость обусловлена туннельными переходами между фононными состояниями связанного и свободного поляронов, поскольку эти состояния разделены достаточно большим потенциальным барьером. Преодоление барьера в двух направлениях ответственно за установление равновесия в поляронной подсистеме при фотовозбуждении носителей; туннельный характер этого процесса объясняет слабое изменение времени его установления в указанном интервале температур.
  1. J.D. Kingsley, J.S. Prener. Phys. Rev. Lett., 8 (8), 315 (1962)
  2. P.F. Weller. Inorg. Chem., 4 (11), 1545 (1965)
  3. R.P. Khosla, D. Matz. Solid State Commun., 6 (12), 859 (1968)
  4. R.P. Khosla. Phys. Rev., 183 (3), 695 (1969)
  5. J.M. Langer, G.L. Pearson, T. Langer, B. Krukowska-Fulde. Solid State Commun., 13 (7), 767 (1973)
  6. J.M. Langer, T. Langer, G.L. Pearson, B. Krukowska-Fulde, U. Piekara. Phys. Status Solidi B, 66 (2), 537 (1974)
  7. T.H. Lee, F. Moser. Phys. Rev. B, 3 (2), 347 (1971)
  8. B.J. Feldman, P.S. Pershan. Solid State Commun., 11 (9), 1131 (1972)
  9. J.E. Dmochowski, I. Kosaki, J.M. Langer. Rad. Eff. Def. Solids, 72 (1--4), 139 (1983)
  10. J.M. Langer. In: Reviews of Solid State Science (World Scientific, Singapore, 1990) v. 4, p. 297
  11. С.А. Казанский, Y. Guyot, J.-C. Gacon, M.-F. Joubert, C. Pedrini. Опт. и спектр., 104 (3), 385 (2007)
  12. S. Grabtchak, M. Cocivera. Phys. Rev. B, 58 (8), 4701 (1998)
  13. M. Ichimura, N. Yamada, H. Tajiri, E. Arai. J. Appl. Phys., 84 (5), 2727 (1998)
  14. S.V. Garnov, A.I. Ritus, S.M. Klimentov, S.M. Pimenov, V.I. Konov, S. Gloor, W. Luthy, H.P. Weber. Appl. Phys. Lett., 74 (12), 1731 (1999)
  15. N.F. Mott, E.A. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Solids (Oxford, UK, Clarendon Press, 1979)
  16. D.V. Lang, R.A. Logan, M. Jaros. Phys. Rev. B, 19 (2), 1015 (1979)
  17. A.M. Stoneham. Rep. Prog. Phys., 44 (12), 1251 (1981)
  18. C.H. Henry, D.V. Lang. Phys. Rev. B, 15 (2), 989 (1977)
  19. R. Passler. J. Appl. Phys., 97 (11), 113 533 (2005)
  20. H. Kukimoto, S. Shionoya, T. Koda, R. Hioki. J. Phys. Chem. Solids, 29 (6), 935 (1968)
  21. И.И. Сайдашев, Е.Ю. Перлин, А.И. Рыскин, А.С. Щеулин. ФТП, 39 (5), 535 (2005)
  22. P. Eisenberger, P.S. Pershan. Phys. Rev., 167 (2), 292 (1968)
  23. C.W. Struck, W.H. Fonger. J. Luminesc., 10 (1), 1 (1975)
  24. Д.И. Стаселько, С.А. Тихомиров, О.В. Буганов, А.С. Щеулин, А.Е. Ангервакс, А.И. Pыскин. Опт. и спектр., 110 (1), 37 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.