"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поглощение и фотоионизация донорного уровня в полупроводниковых кристаллах CdF2
Казанский С.А.1, Щеулин А.С.1, Ангервакс А.Е.1, Рыскин А.И.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июня 2013 г.

Для объяснения особенностей инфракрасного поглощения и фотоионизации в полупроводниковых кристаллах CdF2 предложена модель сильного вибронного взаимодействия, учитывающая поляронный характер проводимости в этих кристаллах и сильный конфигурационный сдвиг свободного и связанного состояний полярона. Показано, что интенсивная инфракрасная полоса поглощения в этих кристаллах не связана с переходом носителя с водородоподобного донорного уровня в зону проводимости, а обусловлена фононными репликами внутрицентровых переходов. Низкотемпературная, в диапазоне 0--70 K, фотопроводимость обусловлена туннельными переходами между фононными состояниями связанного и свободного поляронов, поскольку эти состояния разделены достаточно большим потенциальным барьером. Преодоление барьера в двух направлениях ответственно за установление равновесия в поляронной подсистеме при фотовозбуждении носителей; туннельный характер этого процесса объясняет слабое изменение времени его установления в указанном интервале температур.
  • J.D. Kingsley, J.S. Prener. Phys. Rev. Lett., 8 (8), 315 (1962)
  • P.F. Weller. Inorg. Chem., 4 (11), 1545 (1965)
  • R.P. Khosla, D. Matz. Solid State Commun., 6 (12), 859 (1968)
  • R.P. Khosla. Phys. Rev., 183 (3), 695 (1969)
  • J.M. Langer, G.L. Pearson, T. Langer, B. Krukowska-Fulde. Solid State Commun., 13 (7), 767 (1973)
  • J.M. Langer, T. Langer, G.L. Pearson, B. Krukowska-Fulde, U. Piekara. Phys. Status Solidi B, 66 (2), 537 (1974)
  • T.H. Lee, F. Moser. Phys. Rev. B, 3 (2), 347 (1971)
  • B.J. Feldman, P.S. Pershan. Solid State Commun., 11 (9), 1131 (1972)
  • J.E. Dmochowski, I. Kosaki, J.M. Langer. Rad. Eff. Def. Solids, 72 (1--4), 139 (1983)
  • J.M. Langer. In: Reviews of Solid State Science (World Scientific, Singapore, 1990) v. 4, p. 297
  • С.А. Казанский, Y. Guyot, J.-C. Gacon, M.-F. Joubert, C. Pedrini. Опт. и спектр., 104 (3), 385 (2007)
  • S. Grabtchak, M. Cocivera. Phys. Rev. B, 58 (8), 4701 (1998)
  • M. Ichimura, N. Yamada, H. Tajiri, E. Arai. J. Appl. Phys., 84 (5), 2727 (1998)
  • S.V. Garnov, A.I. Ritus, S.M. Klimentov, S.M. Pimenov, V.I. Konov, S. Gloor, W. Luthy, H.P. Weber. Appl. Phys. Lett., 74 (12), 1731 (1999)
  • N.F. Mott, E.A. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Solids (Oxford, UK, Clarendon Press, 1979)
  • D.V. Lang, R.A. Logan, M. Jaros. Phys. Rev. B, 19 (2), 1015 (1979)
  • A.M. Stoneham. Rep. Prog. Phys., 44 (12), 1251 (1981)
  • C.H. Henry, D.V. Lang. Phys. Rev. B, 15 (2), 989 (1977)
  • R. Passler. J. Appl. Phys., 97 (11), 113 533 (2005)
  • H. Kukimoto, S. Shionoya, T. Koda, R. Hioki. J. Phys. Chem. Solids, 29 (6), 935 (1968)
  • И.И. Сайдашев, Е.Ю. Перлин, А.И. Рыскин, А.С. Щеулин. ФТП, 39 (5), 535 (2005)
  • P. Eisenberger, P.S. Pershan. Phys. Rev., 167 (2), 292 (1968)
  • C.W. Struck, W.H. Fonger. J. Luminesc., 10 (1), 1 (1975)
  • Д.И. Стаселько, С.А. Тихомиров, О.В. Буганов, А.С. Щеулин, А.Е. Ангервакс, А.И. Pыскин. Опт. и спектр., 110 (1), 37 (2011)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.