Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизмы переноса заряда в диодах Шоттки на основе низкоомного CdTe : Mn
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 6 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.
Исследованы кристаллы CdTe : Mn с удельным сопротивлением ~1 Ом·см при 300 K и диоды Шоттки на их основе. Электропроводность материала и его температурные изменения объяснены в рамках статистики электронов и дырок в полупроводнике с учетом компенсационных процессов. Определены энергия ионизации и степень компенсации доноров, ответственных за электропроводность. Показано, что при прямом включении и низких обратных напряжениях токи в диоде Шоттки Au/CdTe : Mn определяются генерацией-рекомбинацией в области пространственного заряда. При повышенных обратных смещениях (более 1.5-2 В) избыточный ток обусловлен туннелированием электронов из металла в полупроводник, а при еще больших напряжениях (более 6-7 В) наблюдается дополнительное увеличение обратного тока благодаря лавинным процессам.
- J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 64 (4), R29 (1988)
- R. Triboulet, A. Heurtel, J. Rioux. J. Cryst. Growth, 101, 131 (1990)
- A. Burger, K. Chattopadhyay, H. Chen, J.-O. Ndap, X. Ma, S. Trivedi, S.-W. Kutcher, R. Chen, R.-D. Rosemeier. J. Cryst. Growth, 198/199, 872 (1999)
- A. Mycielski, A. Burger, M. Sowinska, M. Groza, A. Szadkowski, P. Wojnar, B. Witkowska, W. Kaliszek, P. Siffert. Phys. Status Solidi C, 2 (5), 1578 (2005)
- Y. Cui, A. Bolotnikov, A. Hossain, G. Camarda, A. Mycielski, G. Yang, D. Kochanowska, M. Witkowska-Baran, R.B. James. Proc. SPIE, 7079, 70790N (2008) (9 pp)
- А.В. Комаров, С.М. Рябченко, О.В. Терлецкий, И.И. Жеру, Р.Д. Иванчук. ЖЭТФ, 73, 608 (1977)
- В.Г. Дейбук, В.Н. Чоботар, С.В. Мельничук, К.С. Ульяницкий, В.М. Ницович, А.В. Савицкий. Изв. вузов. Физика, N 4, 24 (1982)
- Л.А. Косяченко, Е.В. Грушко. ФТП, 44 (10), 1422 (2010)
- J.I. Pankove. Optical Processes in Semiconductors (Prentice-Hall, New Jersey, 1971)
- T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
- S. Adachi. Optical Properties of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Materials and Fundamental Principles (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, 1999)
- Л.А. Косяченко, В.М. Склярчук, О.Ф. Склярчук, О.Л. Маслянчук. ФТП, 45 (10), 1223 (2011)
- S.S. Devlin. In: Physics and Chemistry of II--VI Compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (North-Holland Publishing Gompany, N. Y., 1967)
- I. Turkevych, R. Grill, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl, P. Moravec. Semicond. Sci. Techn., 17, 1064 (2002)
- L.A. Kosyachenko, C.P. Lambropoulos, T. Aoki, E. Dieguez, M. Fiederle, D. Loukas, O.V. Sklyarchuk, O.L. Maslyanchuk, E.V. Grushko, V.M. Sklyarchuk, J. Crocco, H. Bensalah. Semicond. Sci. Technol., 27 (1), 015 007 (2012) (11 pp)
- C. Sah, R. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
- S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of Semiconductor Devices, 3d ed. (Wiley-Interscience, New Jersey, 2006)
- L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 82 (1--2), 65 (2004)
- И.С. Кабанова, Л.А. Косяченко, В.П. Махний. ФТП, 21 (11), 2087 (1987)
- Л.А. Косяченко, В.М. Склярчук, О.Ф. Склярчук. ФТП, 31 (2), 207 (1997)
- R.H. Fowler, L. Nordheim. Proc. Royal Soc. (London), A119, 173 (1928)
- S.L. Miller. Phys. Rev., 99, 1234 (1955)
- Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 37 (3), 713 (1959)
- Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 46 (6), 1697 (1965)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
