"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизмы переноса заряда в диодах Шоттки на основе низкоомного CdTe : Mn
Косяченко Л.А.1, Юрценюк Н.С.1, Раренко И.М.1, Склярчук В.М.1, Склярчук О.Ф.1, Захарук З.И.1, Грушко Е.В.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 6 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Исследованы кристаллы CdTe : Mn с удельным сопротивлением ~1 Ом·см при 300 K и диоды Шоттки на их основе. Электропроводность материала и его температурные изменения объяснены в рамках статистики электронов и дырок в полупроводнике с учетом компенсационных процессов. Определены энергия ионизации и степень компенсации доноров, ответственных за электропроводность. Показано, что при прямом включении и низких обратных напряжениях токи в диоде Шоттки Au/CdTe : Mn определяются генерацией--рекомбинацией в области пространственного заряда. При повышенных обратных смещениях (более 1.5-2 В) избыточный ток обусловлен туннелированием электронов из металла в полупроводник, а при еще больших напряжениях (более 6-7 В) наблюдается дополнительное увеличение обратного тока благодаря лавинным процессам.
  1. J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 64 (4), R29 (1988)
  2. R. Triboulet, A. Heurtel, J. Rioux. J. Cryst. Growth, 101, 131 (1990)
  3. A. Burger, K. Chattopadhyay, H. Chen, J.-O. Ndap, X. Ma, S. Trivedi, S.-W. Kutcher, R. Chen, R.-D. Rosemeier. J. Cryst. Growth, 198/199, 872 (1999)
  4. A. Mycielski, A. Burger, M. Sowinska, M. Groza, A. Szadkowski, P. Wojnar, B. Witkowska, W. Kaliszek, P. Siffert. Phys. Status Solidi C, 2 (5), 1578 (2005)
  5. Y. Cui, A. Bolotnikov, A. Hossain, G. Camarda, A. Mycielski, G. Yang, D. Kochanowska, M. Witkowska-Baran, R.B. James. Proc. SPIE, 7079, 70790N (2008) (9 pp)
  6. А.В. Комаров, С.М. Рябченко, О.В. Терлецкий, И.И. Жеру, Р.Д. Иванчук. ЖЭТФ, 73, 608 (1977)
  7. В.Г. Дейбук, В.Н. Чоботар, С.В. Мельничук, К.С. Ульяницкий, В.М. Ницович, А.В. Савицкий. Изв. вузов. Физика, N 4, 24 (1982)
  8. Л.А. Косяченко, Е.В. Грушко. ФТП, 44 (10), 1422 (2010)
  9. J.I. Pankove. Optical Processes in Semiconductors (Prentice-Hall, New Jersey, 1971)
  10. T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
  11. S. Adachi. Optical Properties of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Materials and Fundamental Principles (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, 1999)
  12. Л.А. Косяченко, В.М. Склярчук, О.Ф. Склярчук, О.Л. Маслянчук. ФТП, 45 (10), 1223 (2011)
  13. S.S. Devlin. In: Physics and Chemistry of II--VI Compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (North-Holland Publishing Gompany, N. Y., 1967)
  14. I. Turkevych, R. Grill, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl, P. Moravec. Semicond. Sci. Techn., 17, 1064 (2002)
  15. L.A. Kosyachenko, C.P. Lambropoulos, T. Aoki, E. Dieguez, M. Fiederle, D. Loukas, O.V. Sklyarchuk, O.L. Maslyanchuk, E.V. Grushko, V.M. Sklyarchuk, J. Crocco, H. Bensalah. Semicond. Sci. Technol., 27 (1), 015 007 (2012) (11 pp)
  16. C. Sah, R. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  17. S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of Semiconductor Devices, 3d ed. (Wiley-Interscience, New Jersey, 2006)
  18. L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 82 (1--2), 65 (2004)
  19. И.С. Кабанова, Л.А. Косяченко, В.П. Махний. ФТП, 21 (11), 2087 (1987)
  20. Л.А. Косяченко, В.М. Склярчук, О.Ф. Склярчук. ФТП, 31 (2), 207 (1997)
  21. R.H. Fowler, L. Nordheim. Proc. Royal Soc. (London), A119, 173 (1928)
  22. S.L. Miller. Phys. Rev., 99, 1234 (1955)
  23. Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 37 (3), 713 (1959)
  24. Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 46 (6), 1697 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.