"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности распределения электрических полей в пластинах анизотропных полупроводников в поперечном магнитном поле
Филиппов В.В.1, Бормонтов Е.Н.2
1Липецкий государственный педагогический университет, Липецк, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 8 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Построена макроскопическая модель эффектов Холла и магнетосопротивления в анизотропных полупроводниковых пластинах. Полученные путем решения краевой задачи электродинамики результаты позволяют производить расчет распределения потенциала и вихревых токов в анизотропных полупроводниках при различных расположениях токовых контактов в зависимости от параметров анизотропии материала образца. Результаты работы имеют непосредственное практическое значение для исследования физических свойств анизотропных полупроводников и моделирования явлений электронного переноса в приборах, изготовленных на базе анизотропных полупроводников.
  1. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные явления и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
  2. B.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
  3. С.Ф. Маренкин, В.М. Трухан. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия (Минск, Вараскин, 2010)
  4. А.А. Снарский, А.М. Пальти, А.А. Ащеулов. ФТП, 31 (11), 1281 (1997)
  5. В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров. Наноиндустрия, N 1, 36 (2010)
  6. Л.И. Королева, Д.М. Защиринский, Т.М. Хапаева, С.Ф. Маренкин, Р. Шимчак, Б. Крзуманска, В. Добровольский, Л. Киланский. ФТТ, 51 (2), 286 (2009)
  7. Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1985) гл. 5
  8. П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломиец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1977)
  9. С.А. Немов, Г.Л. Тарантасов, В.И. Прошин, М.К. Житинская, Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина. ФТП, 43 (12), 1629 (2009)
  10. Н.Н. Поляков. Изв. вузов. Физика, N 12, 14 (1989)
  11. М.Ю. Хухрянский. ФТП, 30 (9), 1552 (1996)
  12. Л.А. Битюцкая, Е.Н. Бормонтов, А.Р. Регель, В.Ф. Сыноров. ФТП, 15 (10), 2043 (1981)
  13. Л.А. Битюцкая, Е.Н. Бормонтов, А.Р. Регель, В.Ф. Сыноров. Письма ЖТФ, 8 (14), 868 (1982)
  14. В.В. Филиппов. Изв. вузов. Физика, N 1, 51 (2009)
  15. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002) гл. 5, с. 213
  16. Дж. Най. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц (М., Мир, 1967) ч. 1, гл. 2, с. 59
  17. Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике для научных работников и инженеров (М., Наука, 1973) гл. 4, с. 146
  18. А.П. Прудников, Ю.А. Брычков, О.И. Маричев. Интегралы и ряды. Элементарные функции (М., Наука, 1981) т. 1, гл. 5, с. 740
  19. С.Ф. Маренкин, А.М. Раухман, В.Б. Лазарев. Неорг. матер., 25 (8), 1240 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.