"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности распределения электрических полей в пластинах анизотропных полупроводников в поперечном магнитном поле
Филиппов В.В.1, Бормонтов Е.Н.2
1Липецкий государственный педагогический университет, Липецк, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 8 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Построена макроскопическая модель эффектов Холла и магнетосопротивления в анизотропных полупроводниковых пластинах. Полученные путем решения краевой задачи электродинамики результаты позволяют производить расчет распределения потенциала и вихревых токов в анизотропных полупроводниках при различных расположениях токовых контактов в зависимости от параметров анизотропии материала образца. Результаты работы имеют непосредственное практическое значение для исследования физических свойств анизотропных полупроводников и моделирования явлений электронного переноса в приборах, изготовленных на базе анизотропных полупроводников.
  • Е.В. Кучис. Гальваномагнитные явления и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
  • B.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
  • С.Ф. Маренкин, В.М. Трухан. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия (Минск, Вараскин, 2010)
  • А.А. Снарский, А.М. Пальти, А.А. Ащеулов. ФТП, 31 (11), 1281 (1997)
  • В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров. Наноиндустрия, N 1, 36 (2010)
  • Л.И. Королева, Д.М. Защиринский, Т.М. Хапаева, С.Ф. Маренкин, Р. Шимчак, Б. Крзуманска, В. Добровольский, Л. Киланский. ФТТ, 51 (2), 286 (2009)
  • Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1985) гл. 5
  • П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломиец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1977)
  • С.А. Немов, Г.Л. Тарантасов, В.И. Прошин, М.К. Житинская, Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина. ФТП, 43 (12), 1629 (2009)
  • Н.Н. Поляков. Изв. вузов. Физика, N 12, 14 (1989)
  • М.Ю. Хухрянский. ФТП, 30 (9), 1552 (1996)
  • Л.А. Битюцкая, Е.Н. Бормонтов, А.Р. Регель, В.Ф. Сыноров. ФТП, 15 (10), 2043 (1981)
  • Л.А. Битюцкая, Е.Н. Бормонтов, А.Р. Регель, В.Ф. Сыноров. Письма ЖТФ, 8 (14), 868 (1982)
  • В.В. Филиппов. Изв. вузов. Физика, N 1, 51 (2009)
  • П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002) гл. 5, с. 213
  • Дж. Най. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц (М., Мир, 1967) ч. 1, гл. 2, с. 59
  • Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике для научных работников и инженеров (М., Наука, 1973) гл. 4, с. 146
  • А.П. Прудников, Ю.А. Брычков, О.И. Маричев. Интегралы и ряды. Элементарные функции (М., Наука, 1981) т. 1, гл. 5, с. 740
  • С.Ф. Маренкин, А.М. Раухман, В.Б. Лазарев. Неорг. матер., 25 (8), 1240 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.